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龙图腾网获悉浙江超晶晟锐光电有限公司申请的专利基于外延片表面判断MBE源炉源料余量的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119506852B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411575337.5，技术领域涉及：C23C16/52；该发明授权基于外延片表面判断MBE源炉源料余量的方法是由张焱超设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于外延片表面判断MBE源炉源料余量的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于外延片表面判断MBE源炉源料余量的方法，该方法选取外延片表面适当的点通过XRD来测量外延片表面的周期、半峰宽、失配值，并采用标准差分别计算出外延片的周期、半峰宽、失配的值，通过设计对照组、经验对照组、佐证组并比较各组的标准差比值来判断源炉源料是否不足，更严谨的来判断分子束外延源炉源料的余量。这一方法允许实时监测分子束外延源炉源料的充足性，通过XRD和数据分析的方式，以确保稳定的外延片生长。与传统的统计方法相比，这种方法更准确、更科学，有助于避免资源浪费，提高外延材料的质量。

本发明授权基于外延片表面判断MBE源炉源料余量的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于外延片表面判断MBE源炉源料余量的方法，其特征在于，包括如下步骤： 1在源炉源料充足的条件下生长一片外延片，记为对照组；当生长厚度接近估算出的源料重量对应的生长总厚度的90-95％时，在与对照组同样的生长条件下生长的一片外延片作为经验对照组； 2在外延片表面均匀选取n个点，使用X射线衍射技术测量并记录外延片表面的周期、半峰宽、失配的相应数值； 3使用标准差公式分别计算所述对照组和经验对照组的周期、半峰宽和失配的标准差值，分别记为对照组周期标准差A、半峰宽标准差B、失配标准差C以及经验对照组周期标准差A’、半峰宽标准差B’、失配标准差C’，并计算比值记为nA’、nB’、nC’，记录该标准差比值并留档； 所述标准差公式如下：其中，σ：是标准差，代表数据的离散程度，表示数据分布的分散程度；Xi：代表数据各测量点的周期、半峰宽或失配的具体测量值各个数据点；μ：代表所有测量点的周期、半峰宽或失配的数据的平均值；n：代表数据测量点的数量，即Xi的个数； 4采用步骤2和3的方法获得后续生长过程中的外延片的周期、半峰宽和失配的标准差，分别记为周期标准差A1、半峰宽标准差B1、失配标准差C1；并计算周期标准差A1、半峰宽标准差B1、失配标准差C1与对照组周期标准差A、半峰宽标准差B、失配标准差C的比值记为nA1、nB1、nC1； 5当比值nA1、nB1、nC1小于nA’、nB’、nC’的90％时，即判断为源炉源料充足。

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