苏州龙驰半导体科技有限公司葛俊山获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州龙驰半导体科技有限公司申请的专利一种气相沉积装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223342815U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422783331.9，技术领域涉及：C23C16/455；该实用新型一种气相沉积装置是由葛俊山;王帅设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种气相沉积装置在说明书摘要公布了：本申请实施例中提供了一种气相沉积装置，包括：壳体和反应腔，反应腔位于壳体的内腔中；料架，设置在反应腔内，用于承载工件；进气组件和若干进气孔，任一进气孔的一端均与进气组件连通，另一端均与反应腔连通；抽气组件和若干抽气孔，任一抽气孔的一端均与抽气组件连通，另一端均与反应腔连通；各进气孔和各抽气孔分别位于反应腔的横向两侧且相对设置，各进气孔和各抽气孔在反应腔的竖向排布，且进气孔和抽气孔交错设置。由此以提高反应腔内气流的均匀性，提高片间均匀性，提高SiC工件的厚度均匀性，降低后期加工成本。
本实用新型一种气相沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种气相沉积装置，其特征在于，包括： 壳体和反应腔，所述反应腔位于所述壳体的内腔中； 料架，设置在所述反应腔内，用于承载工件； 进气组件和若干进气孔，任一所述进气孔的一端与所述进气组件连通，另一端与所述反应腔连通； 抽气组件和若干抽气孔，任一所述抽气孔的一端与所述抽气组件连通，另一端与所述反应腔连通； 各所述进气孔和各所述抽气孔分别位于所述反应腔的横向两侧且相对设置，各所述进气孔和各所述抽气孔在所述反应腔的竖向排布，且所述进气孔和所述抽气孔交错设置。
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