苏州龙驰半导体科技有限公司葛俊山获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州龙驰半导体科技有限公司申请的专利一种气相沉积装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223342813U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422783093.1，技术领域涉及：C23C16/44；该实用新型一种气相沉积装置是由葛俊山;王帅设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种气相沉积装置在说明书摘要公布了：本申请实施例中提供了一种气相沉积装置，包括：壳体和反应腔，料架位于反应腔内用于承载工件；分隔筒体沿竖向设于反应腔内，且套装于料架的外部；分隔筒体的外壁和反应腔的内壁之间形成排气通道，分隔筒体的内腔顶部与排气通道连通；进气管路一端与分隔筒体的内腔底部连通，另一端与进气系统连通，用于向分隔筒体内输送气体；抽气管路一端与排气通道连通，另一端与抽气系统连通，排出壳体的内腔中的气体。由此设置，分隔筒体和反应腔形成双层结构，气体由分隔筒体内腔底部流入，扩散至整个分隔筒体，再由上方从外部流出，辅助气体均匀分布在反应腔内，提高反应腔内气流均匀性，提高片间均匀性，提高SiC工件的厚度均匀性，降低后期加工成本。
本实用新型一种气相沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种气相沉积装置，其特征在于，包括： 壳体和反应腔，所述反应腔位于所述壳体的内腔中； 料架，位于所述反应腔内，用于承载工件； 分隔筒体，沿竖向设于所述反应腔内，且套装于所述料架的外部；所述分隔筒体的外壁和所述反应腔的内壁之间形成排气通道，所述分隔筒体的内腔顶部与所述排气通道连通； 进气管路，一端与所述分隔筒体的内腔底部连通，另一端与进气系统连通，用于向所述分隔筒体内输送气体； 抽气管路，一端与所述排气通道连通，另一端与抽气系统连通，用于排出所述反应腔内的气体。
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