西北工业大学李阳平获国家专利权
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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种制备耐刻蚀Ni硬质掩膜层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119465053B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411668865.5，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种制备耐刻蚀Ni硬质掩膜层的方法是由李阳平;李佳隆;刘爱蓉;苗宇欣设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制备耐刻蚀Ni硬质掩膜层的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种制备耐刻蚀Ni硬质掩膜层的方法，属于微纳加工和薄膜技术领域。本发明通过磁控溅射法制备Ni膜，通过调控磁控溅射过程中ArH2气体流量比、溅射气压、基底加热温度、溅射功率等关键工艺参数，调控Ni薄膜的质量和性能。采用本发明的方法，制备得到了无柱状结构、表面光滑、耐腐蚀性好、刻蚀选择比高、且沉积速率快的Ni膜。
本发明授权一种制备耐刻蚀Ni硬质掩膜层的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备耐刻蚀Ni硬质掩膜层的方法，其特征在于，包括以下步骤： 采用磁控溅射法在基底表面沉积Ni膜； 所述磁控溅射法包括以下步骤： 将预处理好的基底放在磁控溅射镀膜机真空室内的阳极上，以99.99%的高纯Ni作为靶材，以Ar气为溅射气体，以H2气为刻蚀气体，在真空条件下，对Ni靶进行溅射，生长Ni膜； 所述真空条件为真空度＜8×10-4Pa； 所述基底加热温度为100℃~250℃； 所述真空室内的溅射气压为0.15~0.5Pa； 所述Ar气流量为25~40sccm，H2气流量为2.5~5.6sccm； 所述Ar气和H2气的流量比为7:1~10:1； 所述溅射功率为100~250W。
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