杭州宏迈微电子有限公司桂曙光获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州宏迈微电子有限公司申请的专利一种单晶硅应变计获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223346121U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422868907.1，技术领域涉及：G01B7/16；该实用新型一种单晶硅应变计是由桂曙光设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单晶硅应变计在说明书摘要公布了：本实用新型涉及MEMS压力传感器相关技术领域，具体涉及一种单晶硅应变计。单晶硅应变计包括硅衬底和器件层，所述衬底为单晶硅，所述的器件层淀积在衬底之上，器件层由压阻条、重掺区、绝缘层和金属层组成。单晶硅应变计的制作方法核心是使用高能离子注入机将H+或者He+注入硅衬底，形成损伤层，然后在器件层完成后，退火使衬底从损伤层剥离，形成的衬底厚度为3～20μm。克服衬底在制作过程中涉及正面保护、背面减薄腐蚀，无法保证最终衬底的厚度。从而提高成品良率，极大提高玻璃微熔压力传感器一致性和稳定性。
本实用新型一种单晶硅应变计在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅应变计，包括：硅衬底和器件层，所述硅衬底为单晶硅，所述的器件层淀积在硅衬底之上，器件层包括压阻条、重掺区、绝缘层和金属层，所述硅衬底与器件层在平面外形尺寸上相同。
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