北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学陈燕宁获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学申请的专利环栅场效应晶体管及其制备方法、芯片和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545838B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411704438.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权环栅场效应晶体管及其制备方法、芯片和电子设备是由陈燕宁;刘芳;吴波;张运炎;杜宪昌;邓永峰;朱松超设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本环栅场效应晶体管及其制备方法、芯片和电子设备在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体技术领域，具体涉及公开了一种环栅场效应晶体管及其制备方法、芯片和电子设备，该制备方法包括：在衬底上垂直生长出垂直纳米线；在所述垂直纳米线生长至预定高度后，改变纳米线生长方向，横向生长出源极、沟道和漏极；沉积一层包围所述垂直纳米线、源极、沟道和漏极的栅极介质材料，并刻蚀得到栅极介质层，所述栅极介质层包围所述沟道。该技术方案可以降低制造难度和生产成本，主要用于制备环栅场效应晶体管。
本发明授权环栅场效应晶体管及其制备方法、芯片和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种环栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上垂直生长出垂直纳米线； 在所述垂直纳米线生长至预定高度后，在所述预定高度处改变纳米线生长方向，横向生长出源极、沟道和漏极；所述源极、沟道和漏极为三段纳米线，所述源极的源极材料和所述漏极的漏极材料为一种Ⅲ-Ⅴ族材料，所述沟道的沟道材料为另一种不同的Ⅲ-Ⅴ族材料； 沉积一层包围所述垂直纳米线、源极、沟道和漏极的栅极介质材料，并刻蚀掉源极和漏极周围的栅极介质材料，以得到栅极介质层，所述栅极介质层包围所述沟道。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学，其通讯地址为：100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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