湖北九峰山实验室袁俊获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种内嵌FLR掩埋JTE的半导体终端结构及其制作方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545871B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411715918.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种内嵌FLR掩埋JTE的半导体终端结构及其制作方法和半导体器件是由袁俊;成志杰;郭飞;王宽;陈伟;吴阳阳设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种内嵌FLR掩埋JTE的半导体终端结构及其制作方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种内嵌FLR掩埋JTE的半导体终端结构及其制作方法和半导体器件，属于半导体器件技术领域。该半导体终端结构包括依次叠加的衬底、外延层和层间介质层；外延层中设置有埋层和位于埋层之上的阱区；埋层被分隔区分隔成多个掩埋悬浮JTE分区；至少在离半导体器件主结区最近的外延层中，设置有若干个场限环。其中，衬底、外延层和分隔区的掺杂类型均为第一类型；埋层、阱区和场限环的掺杂类型均为第二类型。通过该结构设计，能够使半导体器件的电场得到更好的分布，降低了电场聚集程度，提高了器件的耐压能力。
本发明授权一种内嵌FLR掩埋JTE的半导体终端结构及其制作方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种内嵌FLR掩埋JTE的宽禁带半导体终端结构，其特征在于，包括依次叠加的衬底、外延层和层间介质层；所述外延层中设置有埋层和位于所述埋层之上的阱区；所述埋层被分隔区分隔成多个掩埋悬浮JTE分区；所述分隔区为第一掺杂区，所述第一掺杂区的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度；所述第一掺杂区为多层结构，每一层沿所述衬底到所述层间介质层的方向上的尺寸都不相同；至少在离半导体器件主结区最近的所述外延层中，设置有若干个场限环；所述衬底、所述外延层和所述分隔区的掺杂类型均为第一类型；所述埋层、所述阱区和所述场限环的掺杂类型均为第二类型。
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