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龙图腾网获悉聚灿光电科技(宿迁)有限公司申请的专利一种倒装结构发光二极管制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677248B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411720080.8，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种倒装结构发光二极管制备方法是由褚志强;黄彦乾;孙昕;杨猛设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种倒装结构发光二极管制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种倒装结构发光二极管制备方法。ALD沉积AL2O3前，使用N2、N2O或O3plasma清洁GAN表面，提高GANMESA侧面清洁度、消除侧面残留离子和基团，进而使用TMAL和H2O反应沉积薄膜，改善1ua小电流开启电压低问题；ALD沉积AL2O3，前10‑100脉冲循环使用TMAL和O3作为反应源，解决GAN和AL2O3界面‑OH基、电荷残留问题，后续成膜使用TMAL和H2O反应，既满足了1ua小电流开启电压低问题，又保证了生产成本、效率；使用TMAL和H2O反应沉积AL2O3，将整个膜层分割为2‑10段，两段之间使用N2或者N2Oplasma清洁，消除AL2O3和GAN界面残留离子和电荷以及膜层中反应不充分离子残留，改善1ua小电流开启电压低问题。

本发明授权一种倒装结构发光二极管制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装结构发光二极管制备方法，其特征在于：包括以下步骤： （1）图形化蓝宝石衬底上制作外延，包含N-GaN、量子阱、P-GaN； （2）制作MESA蚀刻出N型区域； （3）制作ISO将切割道中间部分蚀刻到图形化蓝宝石衬底； （4）制作透明导电层：制作面状或者图形化网状分布或者岛状分布，同P-GaN欧姆接触， （5）制作金属电极一：分为P区和N区，P区域连接P-GaN上透明导电层、N区连接N-GaN； （6）ALD沉积前清洁:使用等离子气体清洁MESA刻蚀暴露出的GaN侧面； （7）ALD沉积Al2O3： 1）ALD沉积Al2O3，前10-100脉冲循环使用TMAL和O3作为反应源，后续成膜使用TMAL和H2O反应； 2）使用TMAL和H2O反应沉积Al2O3，将整个膜层分割为2-10段，两段之间使用等离子气体清洁； （8）PECVD沉积SiO2； （9）电子束蒸发镀膜DBR：采用两种折射率不同的膜层交替沉积，形成布拉格反射膜层； （10）DBR通孔：蚀刻通孔，穿过DBR、SiO2、Al2O3，分别漏出金属电极一的P区和N区； （11）制作金属电极二：分为P区和N区，通过DBR上制作的连接孔，P区连接金属电极一P区；N区连接金属电极一N区。

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