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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种激光晶体薄片超精密磨削与光化学机械抛光组合工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119550150B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411726823.2，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权一种激光晶体薄片超精密磨削与光化学机械抛光组合工艺是由高尚;郭星晨;康仁科;董志刚;黄金星设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种激光晶体薄片超精密磨削与光化学机械抛光组合工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及一种激光晶体薄片超精密磨削与光化学机械抛光组合工艺。包括如下步骤：采用粗粒度砂轮进行粗磨，实现快速减薄，并确定亚表面损伤层深度，为精磨阶段砂轮进给量提供参考；采用细粒度砂轮进行精磨，去除粗磨阶段引入的损伤层，并通过优化工艺参数获得较高的表面亚表面质量和面型精度；采用氧化铝Al2O3磨料制备光化学机械抛光专用抛光液，对激光晶体薄片进行半精抛，快速去除磨削阶段引起的表面损伤；采用氧化锆ZrO2磨料制备光化学机械抛光专用抛光液，对激光晶体薄片进行精抛，进一步优化表面质量和面型精度；采用超声清洗仪清洗激光晶体薄片，清洗剂为无水乙醇。本发明可同步实现激光晶体薄片高表面完整性和高效率加工。

本发明授权一种激光晶体薄片超精密磨削与光化学机械抛光组合工艺在权利要求书中公布了：1.一种激光晶体薄片超精密磨削与光化学机械抛光组合工艺，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、粗磨阶段：采用石蜡将激光晶体薄片固定在硅片上，硅片吸附于自旋转式超精密磨削机床的真空吸盘工作台上，磨削时砂轮和激光晶体薄片分别绕各自轴线旋转，砂轮沿机床主轴轴向方向进给，并采用去离子水作冷却液；采用预设较粗固结磨料粒度的杯型砂轮对激光晶体薄片基于预设的磨削参数进行粗磨； 步骤2、精磨阶段：采用预设较细固结磨料粒度的杯型砂轮对激光晶体薄片进行精磨；根据粗磨阶段所得亚表面加工损伤层深度值，设置精磨阶段砂轮进给总量，磨除损伤层，并通过优化磨削工艺参数获得良好的激光晶体薄片磨削表面亚表面质量和面型精度； 步骤3、半精抛阶段：采用石蜡将磨削后的激光晶体薄片粘贴于载物盘上，通过在载物盘上加配重块使得工件与化学机械抛光装置抛光盘上的抛光垫接触紧密；以氧化铝磨料制备光化学机械抛光半精抛阶段专用抛光液，对激光晶体薄片进行半精抛； 步骤4、精抛阶段：采用氧化锆磨料制备光化学机械抛光精抛阶段专用抛光液，对半精抛后的激光晶体薄片进行精抛； 步骤3和步骤4中，通过紫外光发射装置进行紫外光照射； 步骤3和步骤4中，专用抛光液中磨料粒径为20~500nm，磨料浓度为20~110gL； 步骤3和步骤4中，除氧化铝磨料、氧化锆磨料外，其余添加剂成分包括0.05~0.20gL半导体光催化剂、5~20gL电子捕获剂、pH值调节剂、1~5gL磨料分散剂，所述pH值调节剂将溶液pH值调节至2~5； 所述半导体光催化剂为MnFe2O4、CuFe2O4和CoFe2O4类尖晶石铁氧体中的至少一种；电子捕获剂为双氧水H2O2、过氧乙酸CH3COOOH、重铬酸钠Na2Cr2O7和高锰酸钾KMnO4中的至少一种；调节剂为HNO3、H2SO4、H2CO3及磷酸中的一种；磨料分散剂为十二烷基苯磺酸钠SDBS、六偏磷酸钠SH、聚乙烯吡咯烷酮PVP、聚丙烯酸钠SP、聚乙二醇PEG2000和三聚磷酸钠STPP中的至少一种。

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