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龙图腾网获悉湖北星辰技术有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673790B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411751881.0，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种半导体结构的制备方法是由赵平;袁娜;梅敏;吴柱锋;金保洲设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法，其特征在于，方法包括：提供第一晶圆，第一晶圆包括多个第一芯片，多个第一芯片之间设置有第一切割道；在第一晶圆的第一表面上形成第一介质层及位于第一介质层中的第一凹槽和第二凹槽，在第一凹槽中形成第一对准标记，并在第二凹槽中形成第一接触衬垫，第一接触衬垫与第一芯片连接；提供多个第二芯片结构，并将第二芯片结构与第一晶圆设置有第一对准标记的一侧上的第一芯片对应键合连接以形成所述第一半导体结构；待键合结构上形成有与第一对准标记相对应的第二对准标记；并基于第一对准标记和第二对准标记之间的对准操作，将第一半导体结构与待键合结构键合。

本发明授权一种半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供第一半导体结构，包括： 提供第一晶圆，所述第一晶圆包括多个第一芯片，多个所述第一芯片之间设置有第一切割道； 在所述第一晶圆的第一表面上形成第一介质层及位于所述第一介质层中的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽在所述第一表面上的正投影位于所述第一切割道在所述第一表面上的正投影限定的范围内； 在同一工艺步骤中对所述第一凹槽和所述第二凹槽执行填充工艺，以在所述第一凹槽中形成第一对准标记，并在所述第二凹槽中形成第一接触衬垫，所述第一接触衬垫与所述第一芯片连接； 提供多个第二芯片结构，并将所述第二芯片结构与所述第一晶圆设置有第一对准标记的一侧上的所述第一芯片对应键合连接，以形成所述第一半导体结构； 提供待键合结构，所述待键合结构上形成有与所述第一对准标记相对应的第二对准标记；并基于所述第一对准标记和所述第二对准标记之间的对准操作，将所述第一半导体结构与所述待键合结构键合。

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