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赛维精密科技(广东)有限公司宋江铎获国家专利权

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龙图腾网获悉赛维精密科技(广东)有限公司申请的专利一种降噪屏蔽膜、制备方法及其应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119603948B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411740656.7,技术领域涉及:H05K9/00;该发明授权一种降噪屏蔽膜、制备方法及其应用是由宋江铎;贾建华;荣秋香;杜家杰;汤白露设计研发完成,并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

一种降噪屏蔽膜、制备方法及其应用在说明书摘要公布了:本发明公开一种降噪屏蔽膜、制备方法及其应用,所述的降噪屏蔽膜由下至上依次包括底膜、碳化硅涂层以及印刷层,所述底膜和或碳化硅涂层中的碳化硅经过等离子强化处理。本发明通过等离子体对底膜和或碳化硅进行处理,经过等离子体处理,利用等离子体高能微粒的撞击作用可在涂层与底膜表面引入了额外的结合作用,使得底膜与碳化硅涂层的结合性更强,提升了降噪屏蔽层的稳定性,同时等离子体处理后的碳化硅相比于普通碳化硅,其电磁屏蔽和分散性显著提升。本发明的降噪屏蔽膜性能良好,应用面广泛,可以使用在电磁屏蔽设备中,也可以通过印刷层应用在标签上。

本发明授权一种降噪屏蔽膜、制备方法及其应用在权利要求书中公布了:1.一种降噪屏蔽膜,由下至上依次包括底膜、碳化硅涂层以及印刷层,其特征在于,所述底膜和或碳化硅涂层中的碳化硅经过等离子强化处理; 所述碳化硅涂层由碳化硅或等离子强化处理碳化硅、聚乙烯吡咯烷酮、溶剂以质量比2~5:0.05~0.1:40~60混合得到浆料后涂覆于底膜后干燥得到; 所述碳化硅或等离子强化处理碳化硅的粒径为0.05~2μm; 所述碳化硅还经过硅烷处理; 所述等离子强化处理碳化硅在等离子强化处理之前,还将原料碳化硅进行硅烷处理。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人赛维精密科技(广东)有限公司,其通讯地址为:523000 广东省东莞市东城街道上桥工业路3号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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