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龙图腾网获悉中国科学院空天信息创新研究院申请的专利一种电光晶体的光轴偏离角的测量方法以及测量系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119437089B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411736568.X，技术领域涉及：G01B11/26；该发明授权一种电光晶体的光轴偏离角的测量方法以及测量系统是由郭广妍;周雅诵;王哲;程旺;钟涛;朱永建;王永欢;赵鹏;麻云凤设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电光晶体的光轴偏离角的测量方法以及测量系统在说明书摘要公布了：一种电光晶体的光轴偏离角的测量方法以及测量系统，该测量方法包括：将偏振激光入射至待测电光晶体的通光面上；使待测电光晶体沿预设方向绕旋转轴连续发生N次转动；在每个转动位置处，利用第一成像装置对第一反射光进行成像，并得到标定点的坐标；将偏振激光聚焦后再次入射至待测电光晶体上，得到第一折射光和第二折射光；使第一折射光和第二折射光发生干涉，在每个转动位置处，利用第二成像装置对干涉光进行成像，得到干涉图像，干涉图像包括光轴出露点，获取干涉图像中光轴出露点的坐标；利用每个转动位置的标定点坐标对转动位置的光轴出露点的坐标进行矫正，并根据所有校正后的光轴出露点的坐标得到电光晶体的光轴偏离角。

本发明授权一种电光晶体的光轴偏离角的测量方法以及测量系统在权利要求书中公布了：1.一种电光晶体的光轴偏离角的测量方法，包括： 将偏振激光入射至待测电光晶体的通光面上，所述偏振激光为准直激光； 使待测电光晶体沿预设方向绕旋转轴连续发生N次转动，所述待测电光晶体旋转N次后能够绕回到起始状态，所述旋转轴为所述偏振激光所在的直线； 在每个转动位置处，利用第一成像装置对第一反射光进行成像，并得到第一反射光的图像在所述第一成像装置的坐标，即标定点的坐标；所述转动位置为所述待测电光晶体每次转动后到达的位置，所述第一反射光为所述待测电光晶体反射的偏振激光； 将所述偏振激光聚焦后再次入射至待测电光晶体上，其中所述聚焦后的偏振激光在所述待测电光晶体内发生双折射，得到第一折射光和第二折射光； 使第一折射光和第二折射光发生干涉，在每个转动位置处，利用第二成像装置对干涉光进行成像，得到干涉图像，所述干涉图像包括光轴出露点，获取所述干涉图像中光轴出露点的坐标； 利用每个转动位置的标定点坐标对所述转动位置的光轴出露点的坐标进行矫正，并根据所有校正后的光轴出露点的坐标得到所述电光晶体的光轴偏离角。

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