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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种埋入式电极的柔性阵列式透明压阻传感器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119637804B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411772137.9，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种埋入式电极的柔性阵列式透明压阻传感器的制备方法是由曹文鑫;孙春强;朱嘉琦;王卓超;李坤;段超;高岗设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种埋入式电极的柔性阵列式透明压阻传感器的制备方法在说明书摘要公布了：一种埋入式电极的柔性阵列式透明压阻传感器的制备方法，本发明是要解决现有基于PDMS的压阻式传感器添加导电填料在衬底内部形成导电通路，但衬底呈黑色不透明的问题。制备方法：S1、将导电材料溶液和PDMS母液混合，将PDMS固化剂滴加于混合液中，抽真空消泡后烘烤处理，得到半固体状态的柔性导电衬底材料；S2、在透明衬底上依次沉积牺牲层和透明导电薄膜得到供体薄膜载体，将供体薄膜载体倒置在柔性导电衬底材料上，采用脉冲激光辐照牺牲层；S3、在柔性导电衬底表面添加液态PDMS预聚物，再进行烘烤固化封装。本发明柔性阵列式透明压阻传感器制备工艺简单、材料成本低、可大批量自动化制备、稳定性和使用寿命长。

本发明授权一种埋入式电极的柔性阵列式透明压阻传感器的制备方法在权利要求书中公布了：1.埋入式电极的柔性阵列式透明压阻传感器的制备方法，其特征在于该埋入式电极的柔性阵列式透明压阻传感器的制备方法按照以下步骤实现： S1、半固体状态柔性导电衬底材料的制备： 将导电材料溶液和PDMS母液混合，搅拌均匀后加热使导电材料溶液中的溶剂蒸发，冷却至室温，得到混合液，然后将PDMS固化剂滴加于搅拌中的混合液中，抽真空消泡后，再倒入模具中烘烤处理，得到半固体状态的透明柔性导电衬底材料； S2、透明导电电极的制备： a、对透明衬底进行超声清洗，然后在清洗后的透明衬底上依次沉积牺牲层和透明导电薄膜，透明导电薄膜位于牺牲层上，透明导电薄膜呈矩形阵列排布，经高温退火得到供体薄膜载体； b、将供体薄膜载体倒置在柔性导电衬底材料上，即供体薄膜载体上的透明导电薄膜与柔性导电衬底材料相接触，采用脉冲激光透过供体薄膜载体的透明衬底对牺牲层进行辐照，取下透明衬底，得到带有阵列式透明导电薄膜的柔性导电衬底； S3、传感器的制备与封装： 在柔性导电衬底的透明导电薄膜上引出导电金属线，在柔性导电衬底表面添加液态PDMS预聚物，再进行烘烤固化封装，得到埋入式电极的柔性阵列式透明压阻传感器； 其中步骤S1中所述的导电材料为聚3,4-亚乙基二氧噻吩聚苯乙烯磺酸盐、银纳米线或铜纳米线；步骤S2中所述的牺牲层为金膜、钛膜、铂膜或碳膜，所述的透明导电薄膜为氧化铟锡、铝掺杂氧化锌或者石墨烯薄膜。

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