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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于微射流激光技术的高热电性能深槽欧姆接触设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119768018B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411862644.1，技术领域涉及：H10N10/01；该发明授权基于微射流激光技术的高热电性能深槽欧姆接触设计方法是由李园;马晓华;彭凯;杨一彤;林鹏荣;赵元富;郝跃设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于微射流激光技术的高热电性能深槽欧姆接触设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供基于微射流激光技术的高热电性能深槽欧姆接触设计方法，涉及半导体功率器件技术领域。包括：高热电性能深槽欧姆接触结构通过超短脉冲激光器的微射流激光刻蚀工艺得到，基于超短脉冲激光器的微射流激光刻蚀工艺，通过精准刻蚀定位区域，实现满足微流道热管理性能要求且兼容后续器件工艺和研究要求的深槽流道。结合利用硬掩膜工艺和厚光刻胶工艺制备的电容‑电压环形二极管测量单元、利用硬掩膜工艺或厚光刻胶工艺制备的传输线模型测量单元以及利用化学机械抛光工艺制备的时域热反射测量单元，实现对高热电性能深槽欧姆接触结构热电特性的优化迭代研究，进而实现高热电性能深槽欧姆接触。

本发明授权基于微射流激光技术的高热电性能深槽欧姆接触设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于微射流激光技术的高热电性能深槽欧姆接触设计方法，其特征在于，所述基于微射流激光技术的高热电性能深槽欧姆接触设计方法包括： 获取基于微射流激光技术的高热电性能深槽欧姆接触结构，所述高热电性能深槽欧姆接触结构的深槽采用超短脉冲激光器的微射流激光刻蚀工艺得到，所述深槽为槽深大于100μm的沟槽； 根据所述高热电性能深槽欧姆接触结构，制备半导体材料单元，所述半导体材料单元使用的材料为目标半导体材料，所述半导体材料单元与所述高热电性能深槽欧姆接触结构的半导体材料的参数、刻蚀工艺均相同； 利用硬掩膜工艺和厚光刻胶工艺，在所述半导体材料单元的刻蚀表面上制备电容-电压环形二极管测量单元； 利用硬掩膜工艺或厚光刻胶工艺，在所述半导体材料单元的刻蚀表面上制备传输线模型测量单元； 利用化学机械抛光工艺，在所述半导体材料单元的刻蚀表面上制备时域热反射测量单元，所述电容-电压环形二极管测量单元、所述传输线模型测量单元和所述时域热反射测量单元，均用于欧姆特性评估和热电特性优化迭代研究； 对所述电容-电压环形二极管测量单元和传输线模型测量单元进行电特性测试，以评估所述高热电性能深槽欧姆接触结构的欧姆电特性，并对时域热反射测量单元进行时域热反射测试，以评估所述高热电性能深槽欧姆接触结构的欧姆接触的欧姆热特性。

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