买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种逆F类和三点式双模操作的压控振荡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119921678B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411873014.4，技术领域涉及：H03B5/12；该发明授权一种逆F类和三点式双模操作的压控振荡器是由叶甜春;谭少峰;赵星;李彬鸿;李依潞;罗军设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种逆F类和三点式双模操作的压控振荡器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种逆F类和三点式双模操作的压控振荡器，所述振荡器为单核振荡器，包括：有源负阻晶体管对、无源电感器组、频率调节模块、第一开关组和第二开关组；所述无源电感器组和频率调节模块形成无源谐振腔；所述第一开关组闭合且第二开关组断开时，所述有源负阻晶体管对以差分的形式与所述无源电感器组连接，构成逆F类振荡器；以及所述第一开关组断开且第二开关组闭合时，所述有源负阻晶体管对以共模并联的形式与所述无源电感器组连接，构成三点式振荡器。本申请提供的技术方案避免了现有多核振荡器中核心之间的不匹配导致谐振腔阻抗峰偏离预设值的问题，在低相位噪声的基础上，进一步拓宽了单核振荡器的频率调节范围。

本发明授权一种逆F类和三点式双模操作的压控振荡器在权利要求书中公布了：1.一种逆F类和三点式双模操作的压控振荡器，其特征在于，所述振荡器为单核振荡器，包括：有源负阻晶体管对、无源电感器组、频率调节模块、第一开关组和第二开关组； 所述无源电感器组和频率调节模块形成无源谐振腔； 所述第一开关组闭合且第二开关组断开时，所述有源负阻晶体管对以差分的形式与所述无源谐振腔连接，构成逆F类振荡器；以及 所述第一开关组断开且第二开关组闭合时，所述有源负阻晶体管对以共模并联的形式与所述无源谐振腔连接，构成三点式振荡器； 所述有源负阻晶体管对包括两个NMOS管； 所述无源电感器组包括差分电感器组和共模电感器； 所述第一开关组包括：开关SWA1、开关SWA2和开关SWA3； 所述开关SWA1一端分别连接所述差分电感器组的一端和所述有源负阻晶体管对中一个NMOS管的漏极，另一端连接所述有源负阻晶体管对中一个NMOS管的栅极； 所述开关SWA2一端分别连接所述差分电感器组的另一端和所述有源负阻晶体管对中一个NMOS管的漏极，另一端连接所述有源负阻晶体管对中另一个NMOS管的栅极；以及 所述开关SWA3一端连接所述共模电感器的一端，另一端连接电源； 所述第二开关组包括：开关SWB1、开关SWB2、开关SWB3和开关SWB4； 所述开关SWB1的一端连接所述有源负阻晶体管对中一个NMOS管的栅极，所述开关SWB1的另一端连接所述有源负阻晶体管对中另一个NMOS管的栅极； 所述开关SWB2的一端分别连接所述差分电感器组的一端和所述有源负阻晶体管对中一个NMOS管的漏极，另一端分别连接所述差分电感器组的另一端和所述有源负阻晶体管对中另一个NMOS管的漏极； 所述开关SWB3一端分别连接所述开关SWB2的一端、所述差分电感器组的一端和所述有源负阻晶体管对中一个NMOS管的漏极，另一端连接电源；以及 所述开关SWB4一端分别连接所述开关SWB1的一端和所述有源负阻晶体管对中另一个NMOS管的栅极，另一端连接所述共模电感器的一端。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。