浙江晶越半导体有限公司高冰获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶越半导体有限公司申请的专利一种籽晶粘结方法及碳化硅晶体生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119372772B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411932973.9，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种籽晶粘结方法及碳化硅晶体生长方法是由高冰;叶宏亮设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种籽晶粘结方法及碳化硅晶体生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅制备领域，尤其涉及一种籽晶粘结方法及碳化硅晶体生长方法，所述籽晶粘结方法，包括以下步骤：（S.1）在石墨籽晶盖上覆盖一层金属膜层；（S.2）将籽晶非生长面置于所述金属膜层表面，并在籽晶生长面上依次覆盖柔性薄膜以及刚性压板；（S.3）在刚性压板上方施加压力，使得籽晶的非生长面与金属膜层紧密贴合；（S.4）在真空以及加热条件下，使得籽晶的非生长面与金属膜层发生扩散烧结反应，从而完成籽晶的粘结。本申请创造性的使用金属膜层与籽晶之间的扩散烧结反应，从而有效提升了籽晶与石墨籽晶盖的稳定粘结，避免了在粘结面收缩气泡以及边缘粘结剥离的现象，降低碳化硅晶体的内部位错密度。
本发明授权一种籽晶粘结方法及碳化硅晶体生长方法在权利要求书中公布了：1.一种籽晶粘结方法，其特征在于，包括以下步骤： （S.1）在石墨籽晶盖上覆盖一层金属膜层，所述金属膜层为Ta、W、Re三种金属元素的单质或任意几种元素的合金，所述金属膜层的熔点大于等于2500℃； （S.2）将直径205mm的籽晶非生长面置于所述金属膜层表面，并在籽晶生长面上依次覆盖直径大于等于籽晶直径的柔性薄膜以及刚性压板，所述柔性薄膜层数1-20层，柔性薄膜的厚度为0.2mm-3mm，所述刚性压板的厚度均匀性在±0.01mm以内； （S.3）在刚性压板上方施加压力，使得籽晶的非生长面与金属膜层紧密贴合； （S.4）在真空以及加热条件下，使得籽晶的非生长面与金属膜层发生扩散烧结反应，从而完成籽晶的粘结； 步骤（S.4）中真空度为气压＜1E-5Pa，加热温度为500℃-1000℃，加热时间为30min-5h。
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