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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利光纤耦合量子点单光子源阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119717128B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411962268.3，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权光纤耦合量子点单光子源阵列及其制备方法是由刘峰;刘浩然;王雨桐;慕月瑶设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本光纤耦合量子点单光子源阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光纤耦合量子点单光子源阵列及其制备方法，属于半导体单光子源领域。阵列包括：由下至上布置的i型GaAs衬底、第一接触层、第二接触层和第三接触层，第二接触层中具有用于产生单光子的量子点层；制备于第二接触层和第三接触层上的长条状的波导和弧形的光栅，制备于远离光栅一侧的波导上的一维光子晶体镜，其中，波导与光栅连接；制备于波导和光栅下方的空气槽；制备于所述光栅远离波导一侧的第三接触层上表面的台面；以及安装于所述台面上表面的经过研磨的光纤阵列。本发明的光纤耦合量子点单光子源阵列可以更为方便、有效地与其它量子光学回路耦合。

本发明授权光纤耦合量子点单光子源阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光纤耦合量子点单光子源阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 准备带有半导体量子点的Ⅲ-Ⅴ族半导体结构，所述Ⅲ-Ⅴ族半导体结构由下至上包括i型GaAs衬底、第一接触层、第二接触层和第三接触层；所述第二接触层中具有用于产生单光子的量子点层； 刻蚀第二接触层和第三接触层，形成对称布置的两条凹槽，凹槽包括相互连接的第一段和第二段，两条凹槽的第一段相互平行，其间未刻蚀的区域作为波导；两条凹槽的第二段呈一定角度，所述角度为30-40度，在两条凹槽的第二段间未刻蚀的区域处对第三接触层进行不同深度的刻蚀，形成由多条弧形狭缝组成的光栅，所述弧形狭缝的凸起端朝向远离波导的方向，所述光栅的主衍射级出射角为8～9度；再在远离光栅一侧的波导上刻蚀第二接触层和第三接触层，形成一维光子晶体镜； 在所述光栅远离波导一侧的第三接触层上表面形成台面； 刻蚀波导和光栅下方的第一接触层，形成空气槽，所述空气槽作为波导的包层，用于满足波导的全反射条件；同时当单光子从波导耦合到光栅中且发生衍射时，所述空气槽还能够将发生衍射后的单光子反射，防止单光子进入i型GaAs衬底中； 在所述台面的上表面安装端面经过打磨的光纤阵列，使经过光纤阵列中的光纤出射的光能够进入光栅中；其中，所述光纤阵列中打磨后的端面与水平面的夹角为20～50度。

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