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龙图腾网获悉河南省科学院材料研究所;河南省科学院申请的专利一种钪铝氧高k栅介质薄膜晶体管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119776787B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411977131.5，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种钪铝氧高k栅介质薄膜晶体管的制备方法是由潘文高;刘恒;原红星;肖丽丽;冯世壕;顾凯杰;赵美金;岳鹏飞;张国赏;宋克兴设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钪铝氧高k栅介质薄膜晶体管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种钪铝氧高k栅介质薄膜晶体管的制备方法，包括清洗玻璃衬底或者Si衬底，依次在丙酮、酒精、去离子水中超声清洗20min，以去除衬底基片上的杂质；用氮气将清洗的衬底基片吹干，并在100℃烘箱中烘干10min；用Sc‑Al‑O陶瓷靶材通过磁控溅射方法在薄膜衬底上制备100nm厚的Sc‑Al‑O栅介质薄膜；将制备的Sc‑Al‑O薄膜在管式炉中空气或者氧气条件下在300℃~500℃下退火0.5h~2h，以获得致密的栅介质材料；本发明提出的Sc‑Al‑O栅介质不仅可以有效抑制由于栅介质减薄引发的载流子隧穿效应，减少热损耗，而且可以提高TFT器件的栅控能力，降低TFT器件的工作电压，从而进一步降低器件功耗，这对可穿戴设备、电子纸等超低功耗显示技术的应用具有重要意义。

本发明授权一种钪铝氧高k栅介质薄膜晶体管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钪铝氧高k栅介质薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、清洗玻璃衬底或者Si衬底，依次在丙酮、酒精、去离子水中超声清洗20min，以去除衬底基片上的杂质； S2、用氮气将清洗的衬底基片吹干，并在100℃烘箱中烘干10min； S3、用Sc-Al-O陶瓷靶材通过磁控溅射方法在薄膜衬底上制备100nm厚的Sc-Al-O栅介质薄膜，其中Sc-Al-O陶瓷靶材中ScAl摩尔比为1，记为ScAlOx；其具体沉积条件分别为本地真空5×10-4Pa，直流溅射功率100W~160W，工作气压0.3Pa~0.6Pa，溅射气氛ArO2=500sccm~25sccm25sccm； S4、将上述制备的Sc-Al-O薄膜在管式炉中空气或者氧气条件下在300℃~500℃下退火0.5h~2h，以获得致密的栅介质材料； S5、为了直接测试栅介质材料的电学性能，用磁控溅射结合荫掩膜的方法在上述薄膜上沉积一层100nm厚且图形化的金属Al作为电极； S6、在步骤S4获得高致密性ScAlOx材料的基础上制备TFT器件；具体为：通过磁控溅射结合荫掩膜的方法制备图形化的InGaZnOIGZO半导体薄膜作为TFT器件的沟道层； S7、将上述制备的IGZO薄膜在管式炉中空气或者氧气条件下在300℃~400℃下退火0.5h~2h，以获得低缺陷密度的沟道层材料； S8、用磁控溅射结合荫掩膜的方法在IGZO薄膜上沉积一层100nm厚的金属Al作为电极； S9、将边缘处栅介质层划破，暴露出底层的作为栅极的Si衬底，以进行后续器件性能测试。

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