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龙图腾网获悉济南兰星电子有限公司申请的专利一种芯片生产用晶圆蚀刻装置及蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119812058B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510017518.4，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种芯片生产用晶圆蚀刻装置及蚀刻方法是由魏兴政;高飞;李浩设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片生产用晶圆蚀刻装置及蚀刻方法在说明书摘要公布了：本申请涉及晶圆加工装置技术领域，提供了一种芯片生产用晶圆蚀刻装置,其包括蚀刻机箱，所述蚀刻机箱上设置有蚀刻池，所述蚀刻池内注有蚀刻液；遮挡窗，所述遮挡窗设于所述蚀刻机箱上，且用于封闭所述蚀刻池；置物筐，所述置物筐设于所述蚀刻池内，且用于供晶圆进行放置；废气处理组件，所述废气处理组件用于处理所述蚀刻池内产生的废气；所述废气处理组件包括废气管、吸水垫和除杂管，所述废气管与所述蚀刻池连通，且竖直设置，所述吸水垫用于吸收废气中携带的水分，所述除杂管内填充有吸附颗粒，所述吸附颗粒用于吸附废气中的杂质和污染物，所述除杂管的表面间隔分布有供废气穿过的气孔。本申请具有减少晶圆蚀刻对周围环境的污染的效果。

本发明授权一种芯片生产用晶圆蚀刻装置及蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片生产用晶圆蚀刻装置，其特征在于，包括： 蚀刻机箱（1），所述蚀刻机箱（1）上设置有蚀刻池（14），所述蚀刻池（14）内注有蚀刻液； 遮挡窗（2），所述遮挡窗（2）设于所述蚀刻机箱（1）上，且用于封闭所述蚀刻池（14）； 置物筐（3），所述置物筐（3）设于所述蚀刻池（14）内，且用于供晶圆进行放置，所述置物筐（3）的底部开设有若干通孔； 废气处理组件（4），所述废气处理组件（4）用于处理所述蚀刻池（14）内产生的废气；所述废气处理组件（4）包括废气管（41）、吸水垫（42）和除杂管（43），所述废气管（41）与所述蚀刻池（14）连通，且竖直设置，所述吸水垫（42）和所述除杂管（43）沿所述废气管（41）的高度方向自下而上依次设置，所述吸水垫（42）用于吸收废气中携带的水分，所述除杂管（43）内填充有吸附颗粒，所述吸附颗粒用于吸附废气中的杂质和污染物，所述除杂管（43）的表面间隔分布有供废气穿过的气孔； 其中，所述除杂管（43）呈V字形，所述除杂管（43）通过旋转电机（5）可转动连接于所述废气管（41）内部，所述除杂管（43）的转动轴线沿水平方向；当需要更换所述除杂管（43）内的吸附颗粒时，所述旋转电机（5）控制所述除杂管（43）翻转并呈倒V字形。

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