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龙图腾网获悉昆山清元电子科技有限公司申请的专利高介电陶瓷电容器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119930277B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510100117.5，技术领域涉及：C04B35/468；该发明授权高介电陶瓷电容器及其制备方法是由刘隽甫;杨聪明;孙士伦;刘亦谦设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本高介电陶瓷电容器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高介电陶瓷电容器及其制备方法，制备方法包括：S1：将BaCO3和TiO2粉体材料混合，并加入Nb2O5和Gd2O3，进行烧结，获得含Nb和Gd掺杂的BaTiO3基料；S2：将BaCO3、B2O3和MnO混合，进行烧结，获得助剂；S3：将掺杂的BaTiO3基料与助剂混合，依次进行排胶、烧结，获得BaTiO3陶瓷。本发明的高介电陶瓷电容器因其极高的介电常数能够存储更多的电荷，从而提升电容性能，有利于电容器的小型化；显著的温度稳定性和较低的损耗，可以使得陶瓷电容器在极端温度条件下依然能够保持稳定的电性能，为基于其的电子设备提供了更为可靠的保障；本发明的高介电陶瓷电容器在烧结过程中不含有对人体和环境有害的成分，绿色环保，成本低，实现了经济效益与环境友好的双重优势。

本发明授权高介电陶瓷电容器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高介电陶瓷电容器的制备方法，其特征在于，所述高介电陶瓷电容器的制备方法至少包括： S1：将BaCO3和TiO2粉体材料混合，并加入Nb2O5和Gd2O3，进行烧结，获得含Nb和Gd掺杂的BaTiO3基料；制备含Nb和Gd掺杂的BaTiO3基料的具体步骤包括： S11：将BaCO3和TiO2粉体材料按照1：1的摩尔比混合； S12：于粉体材料中加入2%~3%的Nb2O5和0.1%~0.15%的Gd2O3； S13：以去离子水为溶剂，采用ZrO2球为球磨介质，于尼龙罐中将粉体材料进行球磨，粉体材料：ZrO2球：去离子水的比例为1：4：1，球磨时间为6h； S14：将球磨后的混合料置于烘箱中进行烘干，过50目筛； S15：将过筛后的所述混合料在空气中进行烧结，获得含Nb和Gd掺杂的BaTiO3基料，所述烧结温度为1100℃~1300℃，烧结时间为1h~3h； S2：将BaCO3、B2O3和MnO混合，进行烧结，获得助剂；获得所述助剂的具体步骤包括： S21：将BaCO3、B2O3和MnO按照按10：（0.5~2）：（2~4）的质量比混合； S22：对步骤S21中的混合材料在空气中进行烧结，获得助剂，所述烧结温度为700℃~900℃，烧结时间为1h~3h； S3：将掺杂的BaTiO3基料与所述助剂混合，依次进行排胶、烧结，获得BaTiO3陶瓷，获得所述BaTiO3陶瓷的具体步骤包括： S31：将掺杂的BaTiO3基料与所述助剂按照（97~99）：（3~1）的质量比混合； S32：以去离子水为溶剂，采用ZrO2球为球磨介质，于尼龙罐中将步骤S31中的混合材料进行球磨，混合材料：ZrO2球：去离子水的比例为1：4：1.5； S33：于步骤S32中的球磨料中加入2%质量分数的SiO2溶胶进行造粒； S34：于20MPa的压力下干压成型，并将生坯在600℃保温2h进行排胶； S35：将排胶后的所述生坯在空气中进行烧结，获得所述BaTiO3陶瓷，所述烧结温度为1200℃~1300℃，烧结时间为1.5h~2.5h。

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