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龙图腾网获悉北京寰宇晶科科技有限公司申请的专利一种金刚石电极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119977082B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510133440.2，技术领域涉及：C02F1/461；该发明授权一种金刚石电极及其制备方法是由黑立富;宋建华设计研发完成，并于2025-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金刚石电极及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种金刚石电极及其制备方法，上述金刚石电极包括围篮和导电金刚石颗粒，围篮上设有孔洞，构成网状围篮，孔洞的孔径小于导电金刚石颗粒的粒径；导电金刚石颗粒放置在围篮内。上述金刚石电极的制备方法包括制备导电金刚石颗粒；制备围篮；将导电金刚石颗粒放置在围篮内，围篮对导电金刚石颗粒堆积的形状进行限定，制得金刚石电极。本申请的优点在于，本申请提供的金刚石电极具有较大的比表面积，其内部能够被拆卸后用于清理，清理完成后能够通过安装实现重新使用且性能不会受到损坏。

本发明授权一种金刚石电极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金刚石电极，其特征在于，包括围篮和导电金刚石颗粒，所述围篮上设有孔洞，构成网状围篮，所述孔洞的孔径小于所述导电金刚石颗粒的粒径；所述导电金刚石颗粒放置在所述围篮内，所述导电金刚石颗粒包括异质材料衬底颗粒和金刚石衬底颗粒中的至少一种，所述异质材料衬底颗粒和所述金刚石衬底颗粒的表面均沉积有掺杂金刚石涂层，所述掺杂金刚石涂层包括第一涂层和第二涂层，所述第一涂层为微米级掺杂金刚石晶粒的涂层Ⅱ，所述第二涂层为纳米级掺杂金刚石晶粒的涂层Ⅱ，所述第二涂层沉积在所述第一涂层之上；所述第一涂层的表面具有微蚀坑Ⅱ，所述第二涂层为多孔结构Ⅱ；所述围篮的电阻率ρ围篮和所述导电金刚石颗粒的电阻率ρ导电金刚石颗粒满足如下关系式：ρ围篮≥ρ导电金刚石颗粒；使用直流电弧等离子体喷射化学气相沉积法在所述异质材料衬底颗粒或所述金刚石衬底颗粒的表面沉积所述掺杂金刚石涂层，包括如下步骤： A1、在沉积气氛中：氢气流量为6～10SLM，氩气流量为2.5～6SLM，甲烷流量为CH4H2＝1～2％，形成CH4H2Ar沉积气氛；在所述CH4H2Ar沉积气氛中引入B，B掺杂量为BC＝3000～15000ppm；沉积温度为780～950℃，沉积压力为2.5～4.5kPa； A2、暂停甲烷的通入和B的引入，形成H2Ar刻蚀气氛；在所述H2Ar刻蚀气氛中：氢气流量为6～10SLM，氩气流量为2.5～5SLM；刻蚀温度为750～1050℃，刻蚀压力为2.8～4.5kPa，刻蚀时间为5～30min； A3、继续通入甲烷并引入B，形成CH4H2Ar沉积气氛；在所述CH4H2Ar沉积气氛中，氢气流量为7～9SLM，氩气流量为2.5～5SLM，甲烷流量为CH4H2＝4～8％，B掺杂量为BC＝3000～12000ppm；沉积温度为700～820℃，沉积压力为2.5～4.5kPa，沉积时间为5～15min； A4、暂停甲烷的通入和B的引入，形成H2Ar刻蚀气氛，进行氢等离子体刻蚀，刻蚀时长为沉积时间的14～13；返回所述步骤A3中进行沉积与刻蚀的交替进行； 此时，沉积得到所述掺杂金刚石涂层，所述掺杂金刚石涂层包括第一涂层和第二涂层，所述第一涂层为微米级掺杂金刚石晶粒的涂层Ⅱ，所述第二涂层为纳米级掺杂金刚石晶粒的涂层Ⅱ，所述第二涂层沉积在所述第一涂层之上；所述第一涂层的表面具有微蚀坑Ⅱ，所述第二涂层为多孔结构Ⅱ。

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