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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种用于碳化硅晶片粗抛的氧化铝CMP抛光液及其抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120173513B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510212311.2，技术领域涉及：C09G1/02；该发明授权一种用于碳化硅晶片粗抛的氧化铝CMP抛光液及其抛光方法是由康仁科;高尚;宋鑫;董志刚设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于碳化硅晶片粗抛的氧化铝CMP抛光液及其抛光方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于碳化硅晶片粗抛的氧化铝CMP抛光液及其抛光方法，按重量百分比计，包括如下成分：纳米氧化铝磨料2～10wt.％；分散剂0.2～2wt.％；pH调节剂0.001～0.01wt‰；氧化剂的浓度为1～5wt.％。本发明通过采用复配型氧化剂，利用高锰酸钾氧化碳化硅晶片表面的还原产物二氧化锰来活化过硫酸钾，使抛光液中产生大量硫酸根自由基，硫酸根自由基的氧化性极强，能够促进抛光液产生连锁氧化反应，进一步氧化碳化硅晶片表面，在碳化硅表面形成硬度较低的氧化层，最终在氧化铝磨料的机械作用下被去除，进而形成超光滑，无损伤的碳化硅晶片表面。本发明得到的最佳碳化硅晶片表面粗糙度为0.125nm，材料去除率为3.5μmh。相较于现有氧化铝抛光液，该抛光液显著提高了碳化硅晶片的表面质量和抛光效率。

本发明授权一种用于碳化硅晶片粗抛的氧化铝CMP抛光液及其抛光方法在权利要求书中公布了：1.一种用于碳化硅晶片粗抛的氧化铝CMP抛光液，其特征在于，由纳米氧化铝磨料、分散剂、pH调节剂、氧化剂和去离子水组成； 所述分散剂的组成为膨润土和聚丙烯酸钠的混合分散液，其中膨润土和聚丙酸钠的质量比为1:1； 所述氧化剂为复配型氧化剂，复配型氧化剂的成分为高锰酸钾和过硫酸钾，高锰酸钾和过硫酸钾的质量比为1:1.25； 各成分按重量百分比计为：纳米氧化铝磨料10wt.%，磨料粒径为800nm；分散剂1wt.%；氧化剂的浓度为4.5wt.%； pH调节剂为氢氧化钾，调节抛光液pH为8.5； 以及余量的去离子水； 具体抛光方法如下： 设定碳化硅晶片加载压力为7psi，抛光盘转速为60rmin，抛光头转速为40rmin，抛光液流量为1000mLmin，抛光时间为60min，抛光垫在线修整时间为40min，抛光液供液方式为循环供液。

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