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龙图腾网获悉达波科技(上海)有限公司申请的专利一种晶圆键合方法及其在复合衬底制备中应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076698B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510278119.3，技术领域涉及：H10N30/03；该发明授权一种晶圆键合方法及其在复合衬底制备中应用是由薛成龙;柏文文;王含冠;刘培森;肖博远;周鑫辰;高嘉骏;杨凯;杨朋辉;华千慧;国洪辰;崔健设计研发完成，并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆键合方法及其在复合衬底制备中应用在说明书摘要公布了：本申请涉及一种晶圆键合方法及其在复合衬底制备中应用，属于复合衬底的加工技术领域。本申请晶圆键合方法包括：1）将压电晶圆进行离子注入，得到晶圆注入片，晶圆注入片依次包括薄膜层、注入层和余质层；2）将晶圆注入片的薄膜层与支撑衬底进行分隔处理，并使晶圆注入片的第一键合面和支撑衬底的第二键合面相对设置且对准，同时对晶圆注入片和支撑衬底进行第一次加热，相互靠近并进行键合处理；3）对第一键合面和第二键合面施加第一压力，并保持一段时间；4）将第一压力降至第二压力，并进行第二次加热；5）进行第三次加热，并保温一段时间以使薄膜层与余质层分离，得到复合衬底。本方法能提高复合衬底品质和良率，翘曲低、孔洞数量少。

本发明授权一种晶圆键合方法及其在复合衬底制备中应用在权利要求书中公布了：1.一种晶圆键合方法，其特征在于，所述晶圆键合方法包括如下步骤： 1准备压电晶圆和支撑衬底； 2将压电晶圆进行离子注入，得到晶圆注入片，晶圆注入片依次包括薄膜层、注入层和余质层； 3将晶圆注入片的薄膜层与支撑衬底进行分隔处理，并使晶圆注入片的第一键合面和支撑衬底的第二键合面相对设置且对准，同时对晶圆注入片和支撑衬底进行第一次加热，第一次加热至65～75℃，相互靠近并进行键合处理； 4对第一键合面和第二键合面施加第一压力，第一压力范围为4000～6000N，并保持一段时间； 5将第一压力降至第二压力，第二压力范围为1500～2500N，并进行第二次加热，第二次加热温度240～280℃，并保持20～40min； 6进行第三次加热，第三次加热温度160～200℃，并保温1.5～3h以使薄膜层与余质层分离，得到复合衬底。

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