深圳市金鼎胜光电股份有限公司陈新民获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市金鼎胜光电股份有限公司申请的专利半导体晶片表面缺陷检测方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119831995B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510307915.5,技术领域涉及:G06T7/00;该发明授权半导体晶片表面缺陷检测方法、装置、设备及存储介质是由陈新民;王洁;唐建明;张桂英;周正恩设计研发完成,并于2025-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体晶片表面缺陷检测方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了:本发明提供了一种半导体晶片表面缺陷检测方法、装置、设备及存储介质,该方法包括:通过LED检测光源阵列发出的检测光束,经过空间滤波处理后,以预设角度照射待测晶片表面。将反射光分为直接光路和滤波光路,直接光路经第二探测器获得原始图像,滤波光路经4f光学系统进行空间频率滤波后由第三探测器获得低通滤波图像。通过对原始图像和低通滤波图像的差分运算得到高通滤波图像,并对其进行自适应阈值分割和形态学优化处理以提取图像特征数据。最后,将图像特征数据输入缺陷检测模型,确定晶片表面的缺陷检测结果。本发明通过空间滤波有效降低了背景噪声的干扰,增强了缺陷边缘特征的对比度,提高了微小缺陷的检测精度和分类准确性。
本发明授权半导体晶片表面缺陷检测方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了:1.一种半导体晶片表面缺陷检测方法,其特征在于,所述半导体晶片表面缺陷检测方法包括: 对LED检测光源阵列发出的检测光束进行空间滤波处理,并通过预设的反射镜组将空间滤波处理后的检测光束以预设角度照射待测晶片表面; 通过预设的分光镜对反射自待测晶片表面的检测光路进行分光处理,得到直接光路和滤波光路,其中直接光路与滤波光路的光强比为1:1;通过预设的第二探测器对所述直接光路进行光电转换处理,将所述直接光路的光强信息转换为电信号,得到原始图像;通过预设的4f光学系统中的第一透镜对所述滤波光路进行聚焦处理,并在所述第一透镜的后焦面上得到包含待测晶片表面空间频率信息的傅里叶频谱;通过三轴位移台对第一透镜的后焦面上的光阑的位置进行调节,使所述第一透镜的后焦面上的光阑的孔径中心与所述第一透镜的光轴重合,且所述光阑位于所述第一透镜的后焦面上;通过预设的调节电机对所述光阑的口径大小进行调节,使所述光阑的口径与所述傅里叶频谱中心亮斑的大小相匹配,得到调节后的光阑口径;通过所述调节后的光阑对所述傅里叶频谱进行频率选择,仅允许所述傅里叶频谱中心区域的低频分量通过,得到空间频率滤波后的频谱图像;通过预设的4f光学系统中的第二透镜对空间频率滤波处理后的傅里叶频谱进行成像,由第三探测器接收成像后的光强信息,得到低通滤波图像; 对所述原始图像和所述低通滤波图像进行差分运算,得到高通滤波图像,并对所述高通滤波图像进行自适应阈值分割和形态学优化处理,得到图像特征数据; 将所述图像特征数据输入预设的缺陷检测模型中,通过所述缺陷检测模型确定所述待测晶片表面的缺陷检测结果。
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