西安交通大学李早阳获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种石墨坩埚和碳化硅单晶生长装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120138814B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510402356.6，技术领域涉及：C30B35/00；该发明授权一种石墨坩埚和碳化硅单晶生长装置是由李早阳;杨垚;高俊浩;祁冲冲;刘立军设计研发完成，并于2025-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种石墨坩埚和碳化硅单晶生长装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种石墨坩埚和碳化硅单晶生长装置，涉及半导体技术领域。石墨坩埚包括坩埚本体，坩埚本体设有容纳腔，容纳腔用于容纳硅料，容纳腔具有沿第一方向相对的腔口和腔底，腔底朝向容纳腔内的一侧设有第一凹槽，第一凹槽用于汇集熔融硅料中的多晶颗粒。这样在使用本申请的石墨坩埚生成碳化硅单晶时，设置在容纳腔腔底的第一凹槽能够对流经的熔融硅料进行扰动，从而形成局部涡旋流动，进而能够汇集熔融硅料中的多晶颗粒，使得多晶颗粒更多地汇集在容纳腔底部，减少多晶颗粒流动至碳化硅单晶的生长界面，进而降低多晶颗粒对碳化硅单晶生成的影响，从而提高碳化硅单晶生成的质量。
本发明授权一种石墨坩埚和碳化硅单晶生长装置在权利要求书中公布了：1.一种石墨坩埚，其特征在于，包括：坩埚本体1，所述坩埚本体1设有容纳腔10，所述容纳腔10用于容纳硅料，所述容纳腔10具有沿第一方向X相对的腔口101和腔底102，所述腔底102朝向所述容纳腔10内的一侧设有第一凹槽103，所述第一凹槽103用于汇集熔融硅料2中的多晶颗粒； 沿所述容纳腔10的径向，所述第一凹槽103的横截面积为S1，所述容纳腔10的横截面积为S2，满足：0.12≤S1S2≤0.18。
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