西安华芯智造技术有限公司单悦获国家专利权
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龙图腾网获悉西安华芯智造技术有限公司申请的专利一种半导体二极管的雪崩耐量测试方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120233203B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510462466.1，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种半导体二极管的雪崩耐量测试方法及系统是由单悦设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体二极管的雪崩耐量测试方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体测试技术领域，具体涉及一种半导体二极管的雪崩耐量测试方法及系统。该方法包括：在尖峰电压刺激并恢复到稳定状态的过程中，获取半导体二极管的热成像图像，确定局部温度的峰值区域；根据温度变化以及峰值区域的面积，确定散热不足性指标；结合散热不足性指标和所有峰值区域的距离，确定热成像图像的局部过热因子；根据时序上所有热成像图像的局部过热因子的数值变化，确定二极管局部过热现象的消散速率；结合局部过热因子和消散速率确定热击穿可能性；根据二极管在不同尖峰电压的所有热击穿可能性的数值变化，确定雪崩耐量。本发明能够根据温度变化进行雪崩耐量的具体分析，使得雪崩耐量的精确性更高。
本发明授权一种半导体二极管的雪崩耐量测试方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体二极管的雪崩耐量测试方法，其特征在于，所述方法包括： 在尖峰电压刺激并恢复到稳定状态的过程中，周期性获取半导体二极管的热成像图像，确定二极管在热成像图像上局部温度的峰值区域； 根据所有峰值区域与相邻区域的温度变化，以及峰值区域的面积，确定散热不足性指标；结合散热不足性指标和所有峰值区域的距离，确定热成像图像的局部过热因子； 根据时序上所有热成像图像的局部过热因子的数值变化，确定二极管局部过热现象的消散速率；结合所有局部过热因子的最大值和消散速率，确定二极管在尖峰电压下的热击穿可能性； 获取二极管在不同尖峰电压下的热击穿可能性，根据二极管在不同尖峰电压的所有热击穿可能性的数值变化，进行雪崩耐量分析，确定二极管的雪崩耐量。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安华芯智造技术有限公司，其通讯地址为：712046 陕西省西安市西咸新区沣西新城高桥街道励志东路300号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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