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龙图腾网获悉杭州德望纳米科技有限公司申请的专利一种真空辉光镀膜的成分实时控制方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120006243B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510496224.4，技术领域涉及：C23C14/54；该发明授权一种真空辉光镀膜的成分实时控制方法及系统是由董萌萌;董宇航;李凡巧设计研发完成，并于2025-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种真空辉光镀膜的成分实时控制方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种真空辉光镀膜的成分实时控制方法及系统，涉及真空镀膜技术领域，首先在全息成分采集阶段，利用传感器和监测设备实时采集镀膜过程中的多维数据，其次在自适应成分调节阶段，通过计算真空腔内的铬氮成分预测值，并与目标浓度进行比较，以判断是否需要进行成分调节，随后在实时调整策略阶段，当成分偏离目标值时，通过设备管理平台自动调整氮气流量、偏压和靶电流，以确保镀膜过程的稳定性，最后，在实时膜层质量修正阶段，通过创新计算公式量化膜层质量，通过闭环控制提高了铬氮镀膜的稳定性和一致性，并能够动态优化镀膜过程，以确保最终膜层质量满足设计要求。

本发明授权一种真空辉光镀膜的成分实时控制方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种真空辉光镀膜的成分实时控制方法，其特征在于，包括： 步骤一、全息成分采集：针对指定铬氮镀膜的镀膜过程，通过传感器和监测设备采集指定铬氮镀膜过程中的多维度数据； 步骤二、自适应成分调节：根据指定铬氮镀膜过程中的多维度数据，计算指定铬氮镀膜过程中对应真空腔内的铬氮成分预测值，并评估铬氮镀膜是否需要进行自适应成分调节； 步骤三、实时调整策略：当铬氮镀膜需要进行自适应成分调节时，通过指定铬氮镀膜设备管理平台实时调整镀膜工艺参数； 步骤四、实时膜层质量修正：在完成镀膜工艺参数的自适应调节后，评估指定铬氮镀膜的膜层质量，并分析是否需要进行镀膜工艺参数修正； 所述通过传感器和监测设备采集指定铬氮镀膜过程中的多维度数据，包括：通过真空腔体中的压力传感器测量得到氮气的分压，并根据溅射功率和靶材面积，估算得到铬的有效分压，通过距离测量装置测量得到真空腔内靶材支架上靶材与光谱探头的距离，记为，通过等离子体诊断仪测量得到等离子体温度，记为，并通过校准实验得到铬和氮的实验系数，以及铬和氮分别等离子体中反应的速率，将铬和氮的实验系数记为和，将铬和氮分别等离子体中反应的速率记为和，进而通过计算公式：和，分别得到铬和氮的光谱信号强度和，为正数； 通过指定铬氮镀膜设备的定时系统中获取镀膜沉积时长，通过实验测定得到在等离子体温度下对应镀膜沉积时长内的膜生长速率，以及通过实验测定得到指定铬氮镀膜过程中对应的温度依赖系数，进而通过计算公式：，得到指定铬氮镀膜过程中在等离子体温度下对应镀膜沉积时长内的膜层厚度； 在样品架上固定的待镀膜样品表面设置各监测点，通过电子显微镜扫描得到各监测点对应的表面高度，表示为各监测点的编号，，为监测点总数，且为正整数，通过均值计算得到待镀膜样品表面对应的表面平均高度，记为，进而通过计算公式：，得到在样品架上固定的待镀膜样品对应的表面粗糙度; 所述多维度数据包括光谱信号强度、膜层厚度和表面粗糙度; 所述计算指定铬氮镀膜过程中对应真空腔内的铬氮成分预测值，具体过程如下： 通过铬氮浓度预测公式：、，分别得到指定铬氮镀膜过程中对应真空腔内的铬浓度预测值、氮浓度预测值，其中、分别表示为光谱实验测定的温度对铬浓度的影响系数、温度对氮浓度的影响系数; 所述通过指定铬氮镀膜设备管理平台实时调整镀膜工艺参数，具体过程如下： 镀膜工艺参数调整包括氮气流量调整、偏压调整和靶电流调节，通过指定铬氮镀膜设备管理平台中获取得到当前真空腔内对应的氮浓度，以及根据目标膜层成分为铬与氮原子数比为1比1，得到真空腔内对应的目标氮浓度，当大于时，则减少氮气的供给量，当小于时，则增加氮气的供给量，当等于时，则保持当前氮气的供给量，通过指定铬氮镀膜设备管理平台中获取得到当前真空腔内对应的铬浓度，并将真空腔内对应的目标铬浓度记为，当大于时，则提高偏压的设定值和提高靶电流的设定值，当小于时，则降低偏压的设定值和降低靶电流的设定值，当等于时，则保持当前偏压和靶电流的设定值不进行调整，并通过计算公式计算得到当前氮气供给量的需调整量、偏压需调整量和靶电流需调整量; 所述计算得到当前氮气供给量的需调整量、偏压需调整量和靶电流需调整量，具体过程如下： 通过计算公式：、和，分别得到当前氮气供给量的需调整量、偏压需调整量和靶电流需调整量，其中、分别为设定的氮气浓度对铬氮膜层的影响系数、等离子体温度对氮气流量调整的影响系数，、分别为设定的偏压对铬原子沉积的影响系数、铬氮膜层厚度对偏压调整的影响系数，、分别为设定的靶电流对铬原子释放的影响系数、等离子体温度对靶电流调节的影响系数。

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