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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利静电放电保护电路、静电放电的保护方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120150084B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510523725.7，技术领域涉及：H02H9/04；该发明授权静电放电保护电路、静电放电的保护方法是由朱骏;郑晓;付凯豪;陈东;王晓娟设计研发完成，并于2025-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本静电放电保护电路、静电放电的保护方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种静电放电保护电路、静电放电的保护方法，静电放电保护电路包括：电流泄放模块；电流泄放模块包括连接在电源与地之间的第一NMOS；其中，第一NMOS用于在导通状态下对静电放电脉冲进行电流泄放；驱动模块；驱动模块用于在产生静电放电的情况下，提供第一NMOS导通所需的栅极电压；驱动模块包括与电源相连接的第一PMOS和与第一PMOS相串联的第二PMOS；第二PMOS的漏极与第一NMOS的栅极相连接；其中，第一NMOS的尺寸大于第一PMOS或第二PMOS的尺寸；上拉模块；上拉模块连接在电源与第一NMOS的栅极之间，以在第一NMOS进行电流泄放的过程中，拉高第二PMOS的漏极的电位。如此，能够有效降低第二PMOS发生栅漏击穿的风险，提升静电放电保护电路的可靠性。

本发明授权静电放电保护电路、静电放电的保护方法在权利要求书中公布了：1.一种静电放电保护电路，其特征在于，包括： 电流泄放模块；所述电流泄放模块包括连接在电源与地之间的第一NMOS；其中，所述第一NMOS用于在导通状态下对静电放电脉冲进行电流泄放； 驱动模块；所述驱动模块用于在产生静电放电的情况下，提供所述第一NMOS导通所需的栅极电压；所述驱动模块包括与电源相连接的第一PMOS和与所述第一PMOS相串联的第二PMOS；所述第二PMOS的漏极与所述第一NMOS的栅极相连接；其中，所述第一NMOS的尺寸大于所述第一PMOS或所述第二PMOS的尺寸； 上拉模块；所述上拉模块连接在电源与所述第一NMOS的栅极之间，以在所述第一NMOS进行电流泄放的过程中，拉高所述第二PMOS的漏极的电位；所述上拉模块包括第三PMOS；所述第三PMOS的源极连接电源，漏极连接所述第一NMOS的栅极；其中，所述第三PMOS的栅极与所述第二PMOS的源极连接。

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