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中国科学技术大学先进技术研究院;中国科学技术大学李鹏获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学技术大学先进技术研究院;中国科学技术大学申请的专利一种可重构逻辑门电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120090622B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510564486.X,技术领域涉及:H03K19/20;该发明授权一种可重构逻辑门电路是由李鹏;徐爱玲设计研发完成,并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

一种可重构逻辑门电路在说明书摘要公布了:本发明提供了一种可重构逻辑门电路,包括至少两个电压调控器件;电压调控器件包括二维磁性材料、栅极、与二维磁性材料电连接的控制端电极以及霍尔电极;栅极通过离子液与二维磁性材料电连接;相邻两个电压调控器件通过霍尔电极电相连;在栅极施加电压,使离子液中的离子发生移动,在二维磁性材料与离子液截面处产生电场,进而调整二维磁性材料内部的载流子位置和自旋极化率;在控制端电极施加驱动电流,使二维磁性材料产生的霍尔信号的极性,随驱动电流的方向变化而变化。本发明能够解决传统硅基逻辑门电路存在的功耗高、集成度受限、功能固化的问题。

本发明授权一种可重构逻辑门电路在权利要求书中公布了:1.一种可重构逻辑门电路,其特征在于,包括:至少两个电压调控器件;所述电压调控器件包括二维磁性材料、栅极、与所述二维磁性材料电连接的控制端电极以及霍尔电极;所述栅极通过离子液与所述二维磁性材料电连接;相邻两个所述电压调控器件通过所述霍尔电极电相连; 在所述栅极施加电压,使所述离子液中的离子发生移动,在所述二维磁性材料与离子液截面处产生电场,进而调整所述二维磁性材料内部的载流子位置和自旋极化率;在所述控制端电极施加驱动电流,使所述二维磁性材料产生的霍尔信号的极性,随所述驱动电流的方向变化而变化; 当所述逻辑门电路包括两个所述电压调控器件,分别为第一电压调控器件和第二电压调控器件;所述第一电压调控器件和第二电压调控器件均包括两个控制端电极,以及两个霍尔电极; 所述第一电压调控器件的第一霍尔电极与所述第二电压调控器件的第一霍尔电极电连接;所述第一电压调控器件的第二霍尔电极作为输出端,输出霍尔电压,所述第二电压调控器件的第二霍尔电极接地; 所述第一电压调控器件的第一控制端电极输入第一电流,第二控制端电极接地;所述第二电压调控器件的第一控制端电极输入第二电流,第二控制端电极接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学技术大学先进技术研究院;中国科学技术大学,其通讯地址为:230031 安徽省合肥市望江西路5089号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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