晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司张晓玲获国家专利权
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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129298B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510603588.8，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体器件的制备方法是由张晓玲;宋玉涛;曾群凯设计研发完成，并于2025-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件的制备方法，属于半导体技术领域，在衬底的第一器件区和第二器件区上形成第一栅极结构和第二栅极结构；在衬底、第一栅极结构及第二栅极结构上形成第一应力缓冲层；在第二器件区的第一应力缓冲层上形成第一图形化的光刻胶层，并对第一栅极结构两侧的衬底进行离子注入；去除第一图形化的光刻胶层；在第一器件区的第一应力缓冲层上形成第二图形化的光刻胶层，并对第二栅极结构两侧的衬底进行离子注入；去除第二图形化的光刻胶层。第一应力缓冲层可以隔绝第一栅极结构及第二栅极结构表面的碱性基团，避免第一图形化的光刻胶层和第二图形化的光刻胶层产生站脚和底切问题，且不会增加工艺的复杂程度。
本发明授权半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上具有第一器件区和第二器件区； 在所述衬底上形成第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构分别位于所述第一器件区和所述第二器件区，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构均包括栅极侧墙，所述栅极侧墙的最外层的材料为氮化物； 在所述衬底、所述第一栅极结构及所述第二栅极结构上形成第一应力缓冲层； 在所述第二器件区的所述第一应力缓冲层上形成第一图形化的光刻胶层，并对所述第一栅极结构两侧的所述衬底进行离子注入； 去除所述第一图形化的光刻胶层； 在所述第一器件区的所述第一应力缓冲层上形成第二图形化的光刻胶层，并对所述第二栅极结构两侧的所述衬底进行离子注入，在对所述第二图形化的光刻胶层进行曝光显影时，所述第一应力缓冲层的表面稳定没有断键；以及， 去除所述第二图形化的光刻胶层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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