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龙图腾网获悉晶科能源(海宁)有限公司申请的专利一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152435B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510624915.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池是由郭金鑫;余炳林;苗劲飞;周静;邱彦凯设计研发完成，并于2025-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池在说明书摘要公布了：本申请涉及光伏电池技术领域，具体涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，太阳能电池包括栅线，太阳能电池的制备方法包括：制备硅基底，硅基底的背面具有第一区域和第二区域，栅线沿太阳能电池的厚度方向的投影位于第一区域，第二区域为第一区域之外的区域；对硅基底的正面和背面进行制绒；在硅基底的正面生成发射极；在硅基底的背面依次生成隧穿氧化层和掺杂导电层；去除硅基底的背面对应第二区域位置处的隧穿氧化层和掺杂导电层。使第二区域不设置隧穿氧化层和掺杂导电层，能够减少第二区域的寄生吸收，避免第二区域的隧穿氧化层和掺杂导电层吸收较多的入射光，导致光能被转化为热能而非电能，从而能够提升太阳能电池的工作效率。

本发明授权一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，所述太阳能电池（1）包括栅线，其特征在于，所述太阳能电池（1）的制备方法包括： 制备硅基底（11），所述硅基底（11）的背面具有第一区域（111）和第二区域（112），所述栅线沿所述太阳能电池（1）的厚度方向的投影位于所述第一区域（111），所述第二区域（112）为所述第一区域（111）之外的区域； 对所述硅基底（11）的正面和背面进行制绒； 在所述硅基底（11）的正面生成发射极（12）； 在所述硅基底（11）的背面依次生成隧穿氧化层（14）和掺杂导电层（15）； 去除所述硅基底（11）的背面对应所述第二区域（112）位置处的所述隧穿氧化层（14）和所述掺杂导电层（15）； 在去除所述硅基底（11）的背面对应所述第二区域（112）位置处的所述隧穿氧化层（14）和所述掺杂导电层（15）的步骤中，所述太阳能电池（1）的制备方法具体包括： 激光去除所述第二区域（112）的所述隧穿氧化层（14）、所述掺杂导电层（15）和所述硅基底（11）背面对应所述第二区域（112）位置处的部分结构。

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