深圳平湖实验室胡浩林获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利SiC外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120184006B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510644477.1，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权SiC外延片及其制备方法是由胡浩林;房育涛;陈刚;崔新春;万玉喜设计研发完成，并于2025-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本SiC外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种SiC外延片及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在降低SiC外延片的缺陷密度，该SiC外延片包括：SiC衬底和设于SiC衬底一侧的外延层。外延层包括：相对设置的C面和Si面，C面和Si面中的任一者靠近SiC衬底，外延层的厚度范围为50μm~500μm，其中，外延层的缺陷密度范围为0.02cm2~1cm2。
本发明授权SiC外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC外延片的制备方法，其特征在于，包括： 第一外延，在第一SiC衬底的一侧形成外延子层； 第一键合，在所述外延子层远离所述第一SiC衬底的一侧键合第二SiC衬底； 第一剥离，剥离所述第一SiC衬底； 第一循环，重复所述第一外延，得到第二个连接第一SiC衬底的外延子层； 第二键合，将所述第二个连接第一SiC衬底的外延子层与连接有所述第二SiC衬底的外延子层键合，得到第一键合外延片； 第二剥离，剥离所述第一键合外延片中的第二SiC衬底和第一SiC衬底中的一者，得到初始SiC外延片；其中，剥离所述第一键合外延片中的第二SiC衬底得到的初始SiC外延片为Si面外延的初始SiC外延片；剥离所述第一键合外延片中的第一SiC衬底得到的初始SiC外延片为C面外延的初始SiC外延片； 热处理或激光处理，在惰性气体条件下，采用温度范围为1400℃~2000℃的热处理或功率范围为104Wcm2~106Wcm2的激光处理使得所述初始SiC外延片重结晶，得到所述SiC外延片。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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