长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司李宗翰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120166698B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510645207.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由李宗翰;赵昭设计研发完成，并于2025-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：衬底，以及位于衬底上的多个有源柱，多个有源柱排列成多个沿第一方向延伸的有源柱行和多个沿第二方向延伸的有源柱列；其中，多个有源柱列包括沿第一方向间隔排布的多个有源柱组，每一有源柱组包括沿第一方向相邻排布的两个有源柱列；第一方向和第二方向交叉且均平行于衬底的表面；多个埋入式位线，位于有源柱组中相邻的两个有源柱列之间，并和与其相邻的两个有源柱列中的每个有源柱电连接，且相邻的两个埋入式位线由相邻的两个有源柱组中的分属于不同有源柱组的相邻两个有源柱列间隔开。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，以及位于所述衬底上的多个有源柱，多个所述有源柱排列成多个沿第一方向延伸的有源柱行和多个沿第二方向延伸的有源柱列；其中，多个所述有源柱列包括沿所述第一方向间隔排布的多个有源柱组，每一所述有源柱组包括沿所述第一方向相邻排布的两个所述有源柱列；所述第一方向和所述第二方向交叉且均平行于所述衬底的表面； 多个埋入式位线，位于所述有源柱组中相邻的两个所述有源柱列之间，并和与其相邻的两个所述有源柱列中的每个有源柱电连接，且相邻的两个所述埋入式位线由相邻的两个所述有源柱组中的分属于不同有源柱组的相邻两个有源柱列间隔开； 多个位线接触部，所述位线接触部至少部分侧向嵌入沿所述第一方向位于所述埋入式位线两侧的所述有源柱内； 掺杂层，至少部分位于所述有源柱内并至少围绕所述位线接触部与所述有源柱的接触面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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