买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉大连海事大学申请的专利一种串联SiC MOSFET短路瞬态过压过流抑制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120184883B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510660908.3，技术领域涉及：H02H9/02；该发明授权一种串联SiC MOSFET短路瞬态过压过流抑制电路是由周野;庹玉龙;薛征宇;史鹏飞设计研发完成，并于2025-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种串联SiC MOSFET短路瞬态过压过流抑制电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种串联SiCMOSFET短路瞬态过压过流抑制电路，属于电力电子技术领域，包括：n个短路保护子电路，短路保护子电路包括：短路检测电路，用于对SiCMOSFET是否发生短路进行检测；过流抑制电路，用于对当所述短路检测电路检测到SiCMOSFET发生短路时，降低发生短路的SiCMOSFET的G极、S极间电压，同时根据与发生短路的SiCMOSFET相邻的SiCMOSFET分压状态，进一步降低发生短路的SiCMOSFET的G极、S极间电压以平衡短路瞬态电压分配；过压抑制电路，在发生短路的SiCMOSFET承压超过所有串联SiCMOSFET平均电压值时激活，抑制发生短路的SiCMOSFET的D极、S极间电压上升速率，实现过压抑制。本发明可集成于传统串联SiCMOSFET驱动电路中作为短路保护的附加电路，延长各串联SiCMOSFET短路耐受时间，提升可靠性。

本发明授权一种串联SiC MOSFET短路瞬态过压过流抑制电路在权利要求书中公布了：1.一种串联SiCMOSFET短路瞬态过压过流抑制电路，其特征在于：包括： n个短路保护子电路， n个短路保护子电路分别与n个串联顺序连接的SiCMOSFET一一对应连接，其中n≥2；所述短路保护子电路包括： 短路检测电路，用于对SiCMOSFET是否发生短路进行检测； 过流抑制电路，用于对当所述短路检测电路检测到SiCMOSFET发生短路时，降低发生短路的SiCMOSFET的G极、S极间电压，同时根据与发生短路的SiCMOSFET相邻的SiCMOSFET分压状态，进一步降低发生短路的SiCMOSFET的G极、S极间电压以平衡短路瞬态电压分配； 过压抑制电路，在发生短路的SiCMOSFET承压超过所有串联SiCMOSFET平均电压值时激活，抑制发生短路的SiCMOSFET的D极、S极间电压上升速率，实现过压抑制； 所述过流抑制电路包括门极驱动电阻RG、第一二极管DA、第一N沟道MOSFETQA、第二N沟道MOSFETQB、第一电阻RA、第三电阻RC； 当短路保护子电路开通第一N沟道MOSFETQA时，门极驱动电阻RG与第一电阻RA组成分压电路快速降低发生短路的SiCMOSFET的G极、S极间电压以抑制短路电流；同时，第二N沟道MOSFETQB关断将第三电阻RC串入驱动回路中，当与发生短路的SiCMOSFET相邻的下一个串联的SiCMOSFET过压时，第三电阻RC上的压降将进一步降低发生短路的SiCMOSFET的G极、S极间电压，提升自身导通电阻以均衡电压分配； 第一二极管DA用于在SiCMOSFET关断期间将过流抑制电路与驱动电路分隔； 所述过压抑制电路包括缓冲电容CB、第二二极管DB、瞬态抑制二极管Ztop以及第三二极管DC； 所述第三二极管DC与发生短路的SiCMOSFET相邻的下一个串联SiCMOSFET的过压抑制电路相连接； 其中，缓冲电容CB在子SiCMOSFET承压超过串联SiCMOSFET单元的平均D极、S极间电压时，通过第二二极管DB充电以降低电压上升速度，瞬态抑制二极管Ztop在发生短路的SiCMOSFET的D极、S极间电压超过瞬态抑制二极管Ztop钳位电压时反向击穿，钳位对应的SiCMOSFET的D极、S极间电压以避免该发生短路的SiCMOSFET过压击穿，第三二极管DC在发生短路的SiCMOSFET正常开通期间，将存储的过压能量释放至其它串联SiCMOSFET的缓冲电容。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人大连海事大学，其通讯地址为：116026 辽宁省大连市甘井子区凌水街道凌海路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。