晶科能源(海宁)有限公司陈超获国家专利权
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龙图腾网获悉晶科能源(海宁)有限公司申请的专利太阳能电池的制备方法及太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120201812B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510681524.X，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权太阳能电池的制备方法及太阳能电池是由陈超;冉超;苗劲飞;周静;邱彦凯设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池的制备方法及太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明涉及光伏电池技术领域，提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池。太阳能电池的制备方法包括：提供硅基体，硅基体具有第一表面，第一表面包括多个间隔设置的第一区域以及位于相邻两个第一区域之间的第二区域；在第二区域上形成硅氧介质层；在第一表面上顺序形成隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，隧穿氧化层覆盖第一区域和硅氧介质层，掺杂多晶硅层覆盖隧穿氧化层；对掺杂多晶硅层和隧穿氧化层进行图形化，以选择性去除第二区域上的掺杂多晶硅层和隧穿氧化层。通过本申请，解决了采用局部接触技术的高效电池的钝化效果较差的问题。
本发明授权太阳能电池的制备方法及太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述太阳能电池的制备方法包括： 提供硅基体，所述硅基体具有第一表面，所述第一表面包括多个间隔设置的第一区域以及位于相邻两个第一区域之间的第二区域； 在所述第二区域上形成硅氧介质层； 在所述第一表面上顺序形成隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，所述隧穿氧化层覆盖所述第一区域和所述硅氧介质层，所述掺杂多晶硅层覆盖所述隧穿氧化层； 对所述掺杂多晶硅层和所述隧穿氧化层进行图形化，以选择性地去除所述第二区域上的掺杂多晶硅层和隧穿氧化层； 在所述第二区域上形成硅氧介质层的步骤包括： 对所述第二区域进行第一激光处理，以使所述硅基体中位于所述第二区域的硅与空气进行反应并形成所述硅氧介质层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶科能源(海宁)有限公司，其通讯地址为：314000 浙江省嘉兴市海宁市黄湾镇安江路118号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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