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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120224711B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510702314.4，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体器件及其制备方法是由夏云;陈刚;段元淼;刘玮;支海朝设计研发完成，并于2025-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，旨在解决沟槽型半导体器件的可靠性问题。半导体器件包括集电区、漂移区、发射区、栅介质层、栅极区以及第一屏蔽部，漂移区设于集电区之上，漂移区远离集电区的表面设有第一凹槽，发射区设于漂移区远离集电区的一侧，栅介质层设于第一凹槽的底面和侧壁面，栅极区设于第一凹槽内，且被栅介质层包覆，第一屏蔽部设于第一凹槽的底部，且与栅介质层接触，其中，漂移区包括层叠设置的第一子漂移区及第二子漂移区，第二子漂移区位于第一子漂移区远离集电区的一侧，且第一子漂移区和第二子漂移区的掺杂类型不同，第一屏蔽部与第二子漂移区接触。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 集电区； 漂移区，设于所述集电区之上，所述漂移区远离所述集电区的表面设有第一凹槽； 发射区，设于所述漂移区远离所述集电区的一侧； 栅介质层，设于所述第一凹槽的底面和侧壁面； 栅极区，设于所述第一凹槽内，且被所述栅介质层包覆； 第一屏蔽部，设于所述第一凹槽的底部，且与所述栅介质层接触； 其中，所述漂移区包括层叠设置的第一子漂移区及第二子漂移区，所述第二子漂移区位于所述第一子漂移区远离所述集电区的一侧，且所述第一子漂移区和所述第二子漂移区的掺杂类型不同；所述第一屏蔽部与所述第二子漂移区接触； 所述半导体器件还包括： 第二凹槽，设于所述漂移区远离所述集电区的表面，所述第二凹槽和所述第一凹槽分别位于所述发射区的两侧； 发射区介质层，设于所述第二凹槽的底面和侧壁面； 发射区导体，设于所述第二凹槽内，且被所述发射区介质层包覆； 第二屏蔽部，设于所述第二凹槽的底部，且与所述发射区介质层接触；所述第二屏蔽部还与所述第二子漂移区接触； 所述第一屏蔽部包括：载流子存储层，所述栅介质层的底部位于所述载流子存储层内，所述载流子存储层和所述第二子漂移区的掺杂类型不同。

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