晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司陈维邦获国家专利权
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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种图像传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120264891B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510704993.9，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种图像传感器及其制作方法是由陈维邦设计研发完成，并于2025-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种图像传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种图像传感器及其制作方法，涉及半导体技术领域，其中制作方法包括：提供基板，基板包括衬底以及位于衬底内的多个第一隔离结构，多个第一隔离结构间隔排列，在衬底上形成第一预设厚度的第一隔离层，并对第一隔离层进行刻蚀形成多个隔离槽，隔离槽底部保留有第二预设厚度的第一隔离层，隔离槽之间的第一隔离层在衬底上的正投影与第一隔离结构在衬底上的正投影重叠，在隔离槽内形成光电功能层，以使光电功能层形成光电二极管，从而不需要采用高能量的离子注入方式来形成光电二极管，进而可以避免衬底表面损伤及其带来的光电二极管之间串扰的问题。
本发明授权一种图像传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括： 提供基板，所述基板包括衬底以及位于所述衬底内的多个第一隔离结构；所述多个第一隔离结构间隔排列； 在所述衬底上形成第一预设厚度的第一隔离层，并对所述第一隔离层进行刻蚀形成多个隔离槽；所述隔离槽底部保留有第二预设厚度的第一隔离层；所述隔离槽之间的第一隔离层在所述衬底上的正投影与所述第一隔离结构在所述衬底上的正投影重叠； 在所述隔离槽内形成光电功能层，以使所述光电功能层形成光电二极管；所述隔离槽底部的第一隔离层用于隔离所述光电功能层与所述衬底；所述隔离槽之间的第一隔离层用于隔离相邻的所述隔离槽内的光电功能层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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