晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司朱瑶获国家专利权
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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种浅沟槽隔离结构及其制备方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120237090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510713130.8，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种浅沟槽隔离结构及其制备方法和半导体器件是由朱瑶设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种浅沟槽隔离结构及其制备方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种浅沟槽隔离结构及其制备方法和半导体器件，涉及半导体技术领域，其中制备方法包括：提供半导体衬底，该半导体衬底包括器件密集区域和器件稀疏区域，在半导体衬底上形成牺牲层，并对器件稀疏区域的牺牲层进行改性处理，对牺牲层及其底部的半导体衬底进行刻蚀形成沟槽，并使沟槽周边至少剩余改性后的牺牲层，以使剩余的牺牲层形成垫层，在半导体衬底上形成隔离层，使隔离层填充沟槽并覆盖沟槽周边的垫层，对隔离层以及垫层进行研磨，以使沟槽形成具有平整的表面的浅沟槽隔离结构，从而可以消除浅沟槽隔离结构表面的凹陷。
本发明授权一种浅沟槽隔离结构及其制备方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底包括器件密集区域和器件稀疏区域； 在所述半导体衬底上形成牺牲层，并对所述器件稀疏区域的牺牲层进行改性处理； 对所述牺牲层及其底部的半导体衬底进行刻蚀形成沟槽，并使所述沟槽周边至少剩余改性后的牺牲层，以使剩余的牺牲层形成垫层； 在所述半导体衬底上形成隔离层，使所述隔离层填充所述沟槽并覆盖所述沟槽周边的垫层； 对所述隔离层以及所述垫层进行研磨，以使所述沟槽形成具有平整的表面的浅沟槽隔离结构； 其中，所述垫层仅包括所述沟槽周边剩余的改性后的牺牲层；或者，所述垫层包括所述沟槽周边剩余的未改性的牺牲层和剩余的改性后的牺牲层，且所述剩余的未改性的牺牲层的厚度小于所述剩余的改性后的牺牲层的厚度。
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