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龙图腾网获悉长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120282521B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510757525.8，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆是由唐宇坤;罗成志设计研发完成，并于2025-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，其中，半导体器件包括：半导体本体，半导体本体包括阱区、第一区域和第二区域，第一区域设置于半导体本体的第一表面，阱区设置于第一区域远离第一表面的一侧；第一表面还设置有栅极沟槽和源极沟槽，第二区域设置于第一表面，并延伸至源极沟槽的底部和侧壁，栅极位于栅极沟槽内；源极沟槽结构位于源极沟槽内；第一欧姆接触层，位于第一表面，第一欧姆接触层至少覆盖部分第二区域；第二欧姆接触层，位于第一欧姆接触层远离半导体本体的一侧，第二欧姆接触层至少覆盖第一欧姆接触层未覆盖的第一表面的区域，实现降低半导体器件导通电阻，提高器件的导电效率。

本发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体本体，所述半导体本体包括阱区、第一区域和第二区域，所述第一区域设置于所述半导体本体的第一表面，所述阱区设置于所述第一区域远离所述第一表面的一侧；所述第一表面还设置有栅极沟槽和源极沟槽；所述第二区域设置于所述第一表面，并延伸至所述源极沟槽的侧壁和底部；所述第一区域为第一导电类型，所述阱区和所述第二区域为第二导电类型； 栅极，位于所述栅极沟槽内； 源极沟槽结构，位于所述源极沟槽内； 第一欧姆接触层，位于所述第一表面，所述第一欧姆接触层至少覆盖部分所述第二区域；在第一方向，所述第一欧姆接触层与所述源极沟槽结构的距离为第二距离，以避免所述第一欧姆接触层与所述源极沟槽结构接触并反应，所述第一方向垂直于第一表面指向第二表面的方向； 第二欧姆接触层，位于所述第一表面，其中，至少部分所述第二欧姆接触层与所述第一欧姆接触层同层设置，所述第二欧姆接触层至少覆盖所述第一欧姆接触层未覆盖的所述第一表面的区域。

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