四川遂宁市利普芯微电子有限公司徐银森获国家专利权
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龙图腾网获悉四川遂宁市利普芯微电子有限公司申请的专利一种多芯片封装结构和功率器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120280429B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510764768.4,技术领域涉及:H01L23/498;该发明授权一种多芯片封装结构和功率器件是由徐银森;李春江;全巧辉;黄海霞设计研发完成,并于2025-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多芯片封装结构和功率器件在说明书摘要公布了:本发明公开了一种多芯片封装结构和功率器件,涉及功率半导体器件领域,该封装结构包括第一DBC基板和位于其上的多个第二DBC基板,第二DBC基板具有上水平段、下水平段及连接二者的竖直段。多个第二DBC基板从左往右依次排列,相邻两个第二DBC基板中,一个的下水平段上表面与芯片下表面锡焊固定,另一个的上水平段下表面与该芯片上表面锡焊固定。最左端第二DBC基板的上水平段上表面与功率器件第一电源引出端连接,相邻第二DBC基板的上水平段上表面相连形成导电路径;第一DBC基板上表面与功率器件第二电源引出端连接,各第二DBC基板下水平段下表面均与第一DBC基板上表面锡焊固定。本发明的封装可靠性高,适用于高温下工作。
本发明授权一种多芯片封装结构和功率器件在权利要求书中公布了:1.一种多芯片封装结构,其特征在于,应用于功率器件,包括: 第一DBC基板和位于所述第一DBC基板之上的多个第二DBC基板; 所述第二DBC基板包括上水平段、下水平段以及连接于上水平段右端与下水平段左端的竖直段; 所述多个第二DBC基板在所述第一DBC基板上从左往右依次排列,相邻两个第二DBC基板中,其中一个第二DBC基板的下水平段的上表面用于与芯片的下表面通过锡焊固定,另一个第二DBC基板的上水平段的下表面用于与该芯片的上表面通过锡焊固定; 其中,位于所述第一DBC基板最左端的第二DBC基板的上水平段的上表面用于与所述功率器件的第一电源引出端连接,相邻第二DBC基板的上水平段的上表面相连形成导电路径;所述第一DBC基板的上表面用于与所述功率器件的第二电源引出端连接,各个第二DBC基板的下水平段的下表面均与所述第一DBC基板的上表面通过锡焊固定; 所述第一DBC基板和所述第二DBC基板均包括自下而上依次排列的第一金属层、绝缘层和第二金属层,其中,所述绝缘层用于将所述第一金属层和所述第二金属层隔离。
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