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龙图腾网获悉南京理工大学申请的专利一种功率半导体器件芯片有源区温度分布模拟测试方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120275797B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510768413.2，技术领域涉及：G01R31/265；该发明授权一种功率半导体器件芯片有源区温度分布模拟测试方法及系统是由冯延晖;施耀华;邱颖宁设计研发完成，并于2025-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率半导体器件芯片有源区温度分布模拟测试方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率半导体器件芯片有源区温度分布模拟测试方法及系统，根据功率半导体器件芯片有源区元胞信息，设计金属图案掩膜版；选择完成半导体多层结构生长且表面半导体层未被掺杂的半导体晶片，沉积金属图案；基于共焦拉曼光谱仪和热台，标定芯片样品表面半导体层的拉曼特征温度曲线；将芯片样品底面与器件封装散热结构连接，将芯片样品表面的金属图案接入直流电源回路；调节直流电源输出，模拟芯片样品有源区热源产热并达到目标产热功率；依据标定的拉曼特征温度曲线，测量芯片样品有源区的温度分布。本发明能够在功率半导体器件设计制造过程中实现芯片有源区结温及温度分布的模拟测试，实验评估功率半导体器件热设计的实际性能。

本发明授权一种功率半导体器件芯片有源区温度分布模拟测试方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件芯片有源区温度分布模拟测试方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、收集功率半导体器件芯片有源区尺寸，元胞图形尺寸及布局和元胞单元的栅极尺寸信息，对应设计金属图案掩膜版； 步骤2、选择完成半导体多层结构生长且表面半导体层未被掺杂的半导体晶片，在半导体晶片表面沉积金属图案掩膜版对应的金属图案； 步骤3、从沉积金属图案的半导体晶片上切割出一个芯片样品，利用共焦拉曼光谱仪和热台对芯片样品的表面半导体层进行拉曼特征温度曲线fT标定； 步骤4、将芯片样品底面与器件封装散热结构连接，并将芯片样品表面的金属图案接入直流电源回路； 步骤5、将接入直流电源回路的芯片样品及器件封装散热结构安装在共焦拉曼光谱仪的载物台上，调节直流电源输出，模拟芯片样品有源区热源产热并达到目标产热功率P； 步骤6、在目标产热功率P下测量芯片样品表面半导体层不同位置的拉曼光谱信号，依据标定的拉曼特征温度曲线fT计算芯片样品有源区的温度分布，评估功率半导体器件的热设计性能。

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