深圳平湖实验室张荣军获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120343944B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510791434.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体器件及其制备方法是由张荣军;张道华;李海洋;范梦绮;王晓萍;万玉喜设计研发完成，并于2025-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决半导体器件在栅极和势垒层之间掺入较多的Mg可能会影响半导体器件的性能问题；所述半导体结构包括：衬底、沟道层和势垒层、第一功能层、第一极、第二极和栅极；衬底、沟道层和势垒层依次层叠设置；第一功能层设于势垒层远离沟道层的一侧；栅极位于第一极和第二极之间的，且栅极位于第一功能层远离衬底的一侧；第一极和第二极位于沟道层远离衬底的一侧；其中，第一功能层的材料包括：AlGaN；第一功能层包括：第一子部，沿第一方向，在第一子部远离衬底的部分中Al原子的含量，小于靠近衬底的部分中Al原子的含量，第一方向为垂直衬底的方向。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：依次层叠设置的衬底、沟道层和势垒层；以及， 第一功能层，设于所述势垒层远离所述沟道层的一侧； 第一极、第二极及位于所述第一极和所述第二极之间的栅极，所述栅极位于所述第一功能层远离所述衬底的一侧，所述第一极和所述第二极位于所述势垒层远离所述衬底的一侧； 其中，所述第一功能层的材料包括：AlGaN；所述第一功能层包括：第一子部，沿第一方向，在所述第一子部远离所述衬底的部分中Al原子的含量，小于靠近所述衬底的部分中Al原子的含量，所述第一方向为垂直所述衬底的方向；所述第一功能层还包括：第二子部，沿所述第一方向，所述第二子部远离所述衬底的部分中Al原子的含量，大于靠近所述衬底的部分中Al原子的含量。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳平湖实验室，其通讯地址为：518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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