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龙图腾网获悉合肥沛顿存储科技有限公司申请的专利散热及电磁屏蔽的封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120341189B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510786636.1，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权散热及电磁屏蔽的封装结构及其制作方法是由高漩;吴政达;黎源;余忠祥;刘春晓;吕东兵;林泽源;苏柏元设计研发完成，并于2025-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本散热及电磁屏蔽的封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种散热及电磁屏蔽的封装结构及其制作方法，包括基板、芯片、塑封体、高导热界面层和金属屏蔽层，若干个芯片倒装在基板的上表面，塑封体覆盖在基板上且包覆所有芯片，高导热界面层包覆于塑封体的顶表面和侧表面，金属屏蔽层覆盖高导热界面层的外表面，高导热界面层的导热率大于塑封体的导热率。本发明通过在金属屏蔽层和塑封体之间设置导热率在二者之间的高导热界面层，使其作为热桥将芯片产生的热量快速扩散至金属屏蔽层，显著降低了塑封体与屏蔽层之间的热阻，同时高导热界面层作为缓冲层，能够减少热循环下的界面应力，避免金属屏蔽层的分层及微裂纹，从而保证电磁屏蔽效能和机械可靠性。

本发明授权散热及电磁屏蔽的封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种散热及电磁屏蔽的封装结构的制作方法，所述散热及电磁屏蔽的封装结构包括基板、芯片、塑封体、高导热界面层和金属屏蔽层，若干个芯片倒装在基板的上表面，所述塑封体覆盖在基板上且包覆所有芯片，所述高导热界面层包覆于所述塑封体的顶表面和侧表面，所述金属屏蔽层覆盖所述高导热界面层的外表面，所述高导热界面层的导热率大于所述塑封体的导热率； 其特征在于，包括如下步骤： （1）提供一制备有硅通孔的基板，将若干个芯片通过微焊盘与基板的上表面进行连接，并在基板和芯片之间进行底部填充； （2）对基板上的芯片进行塑封，使形成的塑封体包覆所有的芯片，并对塑封体进行研磨减薄； （3）对基板的下表面研磨出焊盘，并在其下表面制备再布线层和焊球； （4）将基板贴装于涂覆有剥离层的载体上，然后将其切割成单个封装结构； （5）在单个封装结构的塑封体的顶表面和侧表面涂覆高导热界面材料，待其固化成型后形成高导热界面层，采用激光刻蚀工艺在高导热界面层的表面刻蚀沟槽，从而形成网格结构的高导热界面层； （6）对网格结构的高导热界面层进行等离子清洗，然后在高导热界面层的表面溅射和或电镀形成金属屏蔽层。

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