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龙图腾网获悉南京信息工程大学申请的专利一种铜基卤化物发光二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120322136B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510791791.2，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种铜基卤化物发光二极管及制备方法是由高正浩;沈润杰;臧子淼;潘江涌;单逸飞;陈名湛;潘滕炜;丁文浩设计研发完成，并于2025-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铜基卤化物发光二极管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种铜基卤化物发光二极管及制备方法，所述方法包括：步骤1，制备碱金属硫氰酸盐溶液；步骤2，制备改性的空穴注入层溶液；步骤3，制备结晶辅助剂；步骤4，制备铜基卤化物前驱体溶液；步骤5，混合结晶辅助剂和铜基卤化物前驱体溶液；步骤6，制备铜基卤化物发光二极管器件。本发明可以显著提高发光二极管器件空穴注入能力，促进电荷平衡，大幅提升器件亮度和外量子效率；硫氰酸根和Cu离子相互作用，提高铜基卤化物结晶质量，从而提高薄膜均匀性；同时硫氰酸根可以提高铜基卤化物中卤素空位的形成能，从而钝化卤素空位缺陷，抑制卤素离子的迁移。

本发明授权一种铜基卤化物发光二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铜基卤化物发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，制备碱金属硫氰酸盐溶液； 步骤2，制备改性的空穴注入层溶液； 步骤3，制备结晶辅助剂； 步骤4，制备铜基卤化物CsxCu2Ix+2前驱体溶液； 步骤5，混合结晶辅助剂和铜基卤化物前驱体溶液； 步骤6，制备铜基卤化物发光二极管器件； 步骤1包括：将碱金属硫氰酸盐固体溶解于去离子水中，并使用搅拌器搅拌，搅拌器转速为100～1000转分钟，搅拌时间为5～120分钟，得到碱金属硫氰酸溶液，所述碱金属硫氰酸盐为硫氰酸锂、硫氰酸钾、硫氰酸钠、硫氰酸铯中的任意一种； 步骤1中，所述碱金属硫氰酸溶液的浓度为1～220mgmL； 步骤2包括：将碱金属硫氰酸盐溶液与聚3,4-亚乙二氧基噻吩-聚苯乙烯磺酸PEDOT：PSS溶液混合，并使用搅拌器搅拌，搅拌器转速为100～1000转分钟，搅拌时间为15～280分钟，得到改性的空穴注入层溶液； 步骤2中，所述聚3,4-亚乙二氧基噻吩-聚苯乙烯磺酸PEDOT：PSS溶液浓度为1.1～1.6wt.％，通过去离子水稀释，碱金属硫氰酸溶液与聚3,4-亚乙二氧基噻吩-聚苯乙烯磺酸PEDOT：PSS溶液的体积比为1：X1，其中参数X1取值为2～5； 步骤3包括：制备聚乙烯吡咯烷酮PVP溶液或聚偏二氟乙烯PVDF溶液作为结晶辅助剂； 所述聚乙烯吡咯烷酮PVP溶液为聚乙烯吡咯烷酮PVP固体以浓度1～80mgmL溶解于二甲基亚砜，并使用搅拌器以转速为100～1000转分钟，搅拌时间为10～60分钟，搅拌得到； 所述聚偏二氟乙烯PVDF溶液为聚偏二氟乙烯PVDF固体以浓度1～80mgmL溶解于二甲基亚砜，并使用搅拌器以转速为100～1000转分钟，搅拌时间为10～60分钟，搅拌得到； 步骤4包括：将碘化铯CsI和碘化亚铜CuI以摩尔比x：2，以0.1～0.6M的浓度溶解于N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮、甲基乙基酮、二甲基乙酰胺有机溶剂中的一种，并使用搅拌器搅拌，搅拌器转速为200～600转分钟，在50～70℃条件下搅拌3～10分钟，然后在20～30℃温度下搅拌5～18小时，得到铜基卤化物CsxCu2Ix+2前驱体溶液；其中参数x为1或3； 步骤5包括：将结晶辅助剂和铜基卤化物CsxCu2Ix+2前驱体溶液以体积比1：X2混合，并使用搅拌器搅拌，搅拌器转速为200～600转分钟，在20～30℃条件下搅拌3～8小时，得到结晶辅助处理后的铜基卤化物前驱体溶液；参数X2取值为10～20； 步骤6包含如下步骤： 步骤6～1，超声清洗ITO导电玻璃：使用无尘布将ITO导电玻璃擦净后，依次将ITO导电玻璃浸泡于洗洁精、去离子水、丙酮、异丙醇中并超声清洗10～40分钟； 步骤6～2，紫外臭氧处理ITO导电玻璃：将清洗后的ITO导电玻璃吹干，然后置于密闭、不透光环境中并使用短波紫外光照射；短波紫外光同时发射180～187nm和248～257nm的两种波长的紫外光； 步骤6-3，旋涂空穴注入层：将100～400uL的经步骤2制备得到的改性的空穴注入层溶液经滤头过滤后，以转速为3000～9000转分钟，时间为10～60秒，旋涂于ITO导电玻璃表面，然后在110～145℃条件下退火10～30分钟，随后冷却至室温，得到空穴注入层； 步骤6-4，旋涂铜基卤化物发光层：将100～300uL的经步骤5制备得到的结晶辅助处理后的铜基卤化物前驱体溶液经滤头过滤后，以第一转速为50～200转分钟，时间为5～12秒，第二转速为1000～6000转分钟，时间为10～60秒，旋涂于空穴注入层表面，然后在50～140℃条件下退火8～40分钟，随后冷却至室温，得到铜基卤化物发光层； 步骤6-5，蒸镀电子传输层：在压强小于9×10-4Pa的高真空条件下，在铜基卤化物发光层表面以的生长速率蒸镀电子传输层； 步骤6-6，蒸镀电极修饰层：在压强小于9×10-4Pa的高真空条件下，在电子传输层表面以的生长速率蒸镀电极修饰层； 步骤6-7，蒸镀金属电极：在压强小于9×10-4Pa的高真空条件下，在电极修饰层表面以的生长速率蒸镀金属电极； 最终，从下至上组合ITO导电玻璃1、空穴注入层2、铜基卤化物发光层3、电子传输层4、电极修饰层5和金属电极6，组成铜基卤化物发光二极管器件；其中空穴注入层2、铜基卤化物发光层3、电子传输层4、电极修饰层5组成发光单元； 所述ITO导电玻璃的厚度为40～180nm，空穴注入层的厚度为10～100nm，铜基卤化物发光层的厚度为30～200nm，电子传输层的厚度为10～100nm，电极修饰层的厚度为0.1～20nm，金属电极的厚度为40～130nm； 所述电子传输层采用的材料为1,3,5-三1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基苯TPBi、3,3'-[5'-[3-3-吡啶基苯基][1,1':3',1”-三联苯]-3,3”-二基]二吡啶TmPyPB中的一种； 所述电极修饰层采用的材料为氟化锂LiF、8-羟基喹啉-锂Liq中的一种； 所述金属电极采用的材料为铝Al、银Ag、金Au、锌Zn中的一种。

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