合肥晶合集成电路股份有限公司刘苏涛获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种制作半导体结构的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120319663B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510786926.6，技术领域涉及：H01L21/3213；该发明授权一种制作半导体结构的方法及装置是由刘苏涛;林士闵设计研发完成，并于2025-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制作半导体结构的方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种制作半导体结构的方法及装置，属于半导体制作领域。所述制作方法至少包括：提供一衬底，所述衬底上包含至少一个硅导电区域；在所述衬底上形成金属层；通过第一次退火，所述金属层和所述衬底上的所述硅导电区域反应形成第一金属硅化物；将所述衬底放入刻蚀反应槽内，去除未反应的所述金属层，在去除所述金属层时，所述刻蚀反应槽内的刻蚀液依次经过溶解槽和吸附槽，返回所述刻蚀反应槽；取出所述衬底，对所述第一金属硅化物进行第二次退火，形成第二金属硅化物。通过本发明提供的一种制作半导体结构的方法及装置，能够加快制作速度，可提高半导体结构的性能。
本发明授权一种制作半导体结构的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种制作半导体结构的方法，其特征在于，至少包括： 提供一衬底，所述衬底上包含至少一个硅导电区域； 在所述衬底上形成金属层； 通过第一次退火，所述金属层和所述衬底上的所述硅导电区域反应形成第一金属硅化物； 将所述衬底放入刻蚀反应槽内，去除未反应的所述金属层，在去除所述金属层时，所述刻蚀反应槽内的刻蚀液依次经过溶解槽和吸附槽，返回所述刻蚀反应槽；所述刻蚀反应槽的输出端设置有第一检测单元，所述第一检测单元实时对所述刻蚀液内的金属颗粒的数量进行监测，监测并记录单位时间内所述金属颗粒的最大数量为Xm个，当所述第一检测单元检测所述刻蚀液内的所述金属颗粒的数量小于1%Xm个秒时，停止刻蚀；在所述溶解槽的输出端和输入端之间设置回路，在所述回路上设置第二检测单元，用来检测经过所述溶解槽后的刻蚀液内的杂质数量； 取出所述衬底，对所述第一金属硅化物进行第二次退火，形成第二金属硅化物。
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