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龙图腾网获悉深圳佰维存储科技股份有限公司申请的专利一种数据重读方法、存储器及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120315652B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510796201.5，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权一种数据重读方法、存储器及存储介质是由王灿;孙成思;何瀚;陈城铭设计研发完成，并于2025-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种数据重读方法、存储器及存储介质在说明书摘要公布了：本申请涉及EMMC研发性能技术领域，尤其涉及一种数据重读方法、存储器及存储介质，该方法包括：统计闪存页中n种数据状态分别对应的基本存储单元的数量，得到n个数量，计为N0、N1、…、Nn‑1，n≥2；根据N0至Nn‑1之间的大小关系，确定闪存页的电压分布偏移状态；根据闪存页的电压分布偏移状态确定重读电压的偏移方向，并根据偏移方向从重读表中筛选出对应的偏移电压值；根据偏移电压值执行重读流程纠回数据或达到预设重读次数后结束重读流程。由此，本申请可以有效解决NANDFlash执行重读流程时遍历Retrytable次数多、重读流程耗费时间长的问题等。

本发明授权一种数据重读方法、存储器及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种数据重读方法，其特征在于，包括： 统计闪存页中n种数据状态分别对应的基本存储单元的数量，得到n个数量，计为N0、N1、…、Nn-1，n≥2； 根据N0至Nn-1之间的大小关系，确定所述闪存页的电压分布偏移状态；其中，所述电压分布偏移状态包括无偏、左偏和右偏； 根据所述闪存页的电压分布偏移状态确定重读电压的偏移方向，并根据所述偏移方向从重读表中筛选出对应的偏移电压值，具体包括：若所述闪存页的电压分布偏移状态为所述右偏，则从所述重读表中筛选出大于零的偏移电压值；和或，若所述闪存页的电压分布偏移状态为所述左偏，则从所述重读表中筛选出小于零的偏移电压值； 根据所述偏移电压值执行重读流程纠回数据或达到预设重读次数后结束重读流程； 当所述闪存页配置为MLC模式时，所述基本存储单元的数据状态包括：“00”、“01”、“10”和“11”； 所述统计闪存页中n种数据状态分别对应的基本存储单元的数量，包括： 统计闪存页内“11”状态、“01”状态、“00”状态和“10”状态分别对应的基本存储单元的数量，依次对应得到N0、N1、N2和N3； 所述根据N0至Nn-1之间的大小关系，确定闪存页的电压分布偏移状态，包括： 若所述闪存页类型为低位页时， 对于阈值电压R2＇，比较N0+N1与N2+N3的大小： 若N0+N1＞N2+N3，则所述闪存页的电压分布偏移状态为左偏； 若N0+N1N2+N3，则所述闪存页的电压分布偏移状态为右偏； 若相等，则所述闪存页的电压分布偏移状态为无偏； 若所述闪存页类型为高位页时，对于阈值电压R1＇，比较3×N0与N1+N2+N3的大小： 若3×N0大于N1+N2+N3，则所述闪存页的电压分布偏移状态为左偏； 若3×N0小于N1+N2+N3，则所述闪存页的电压分布偏移状态为右偏； 若相等，则所述闪存页的电压分布偏移状态为无偏； 对于阈值电压R3＇，比较3×N2与N1+N2+N3的大小： 若3×N2大于N1+N2+N3，则所述闪存页的电压分布偏移状态为左偏； 若3×N2小于N1+N2+N3，则所述闪存页的电压分布偏移状态为右偏； 若相等，则所述闪存页的电压分布偏移状态为无偏。

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