泉州昆泰芯微电子科技有限公司王超获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州昆泰芯微电子科技有限公司申请的专利一种磁场免疫系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120352813B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510811529.X，技术领域涉及：G01R33/02；该发明授权一种磁场免疫系统是由王超;钱振煌设计研发完成，并于2025-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁场免疫系统在说明书摘要公布了：本申请涉及磁场检测领域，特别是涉及一种磁场免疫系统，外部设置有待检测的目标磁场S，包括：三轴磁传感器，用于测量X轴、Y轴和Z轴磁场分量Bx、By和Bz，其中，以所述三轴磁传感器为原点建立空间直角坐标系，所述三轴磁传感器和目标磁场S所在直线为Z轴；两个单轴磁传感器，用于测量Z轴磁场分量Bz，设置于以所述三轴磁传感器为对称点的对称位置，其中，所述两个单轴磁传感器与所述三轴磁传感器位于同一平面，且该平面为X轴和Y轴共同处于的平面，且所述Z轴垂直于该平面。本申请的布局设计有助于检测和修正磁场的倾斜误差，确保在XY平面上的磁场测量更为精准。
本发明授权一种磁场免疫系统在权利要求书中公布了：1.一种磁场免疫系统，外部设置有待检测的目标磁场S，所述目标磁场S为近距离的二极磁源，其中，径向二极磁铁或二极磁环的中心位于Z轴，从而使得目标磁场S在X轴和Y轴共同处于的平面上任意以原点为对称点的两个位置处Z轴的磁场分量大小相等、方向相反，其特征在于，包括： 三轴磁传感器，用于测量X轴、Y轴和Z轴磁场分量Bx、By和Bz，其中，以所述三轴磁传感器为原点建立空间直角坐标系，所述三轴磁传感器和目标磁场S所在直线为Z轴； 两个单轴磁传感器，用于测量Z轴磁场分量Bz，设置于以所述三轴磁传感器为对称点的对称位置，其中，所述两个单轴磁传感器与所述三轴磁传感器位于同一平面，该平面为X轴和Y轴共同处于的平面，且所述Z轴垂直于该平面。
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