遨天科技(成都)有限公司王红霞获国家专利权
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龙图腾网获悉遨天科技(成都)有限公司申请的专利一种正负极涂层多孔介质生成重构建模方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120340714B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510812032.X,技术领域涉及:G16C60/00;该发明授权一种正负极涂层多孔介质生成重构建模方法是由王红霞;李书峰;余运超;卢春海;蒋玉龙设计研发完成,并于2025-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种正负极涂层多孔介质生成重构建模方法在说明书摘要公布了:本发明涉及锂电池正负极涂层分析技术领域,公开了一种正负极涂层多孔介质生成重构建模方法,包括根据正负极涂层孔径分布的置信区间与无量纲化过程,采用四参数随机生成方法建立正负极涂层多孔介质模型;采用基于笛卡尔背景网格的染色方法对正负极涂层多孔介质模型进行死区处理。本发明既可保证正负极涂层多孔介质的宏观参数满足要求,又可高效处理正负极涂层孔隙死区问题。
本发明授权一种正负极涂层多孔介质生成重构建模方法在权利要求书中公布了:1.一种正负极涂层多孔介质生成重构建模方法,其特征在于,包括以下步骤: 根据正负极涂层孔径分布的置信区间与无量纲化过程,采用四参数随机生成方法建立正负极涂层多孔介质模型;其中,所述采用四参数随机生成方法建立正负极涂层多孔介质模型包括:设置笛卡尔背景网格的编号范围和网格尺寸; 在笛卡尔背景网格上确定各个单元的孔径和相应的概率密度,所述笛卡尔背景网格上各个单元上生成[0,1]内的随机数; 搜索满足下式的正负极涂层孔径分布区间序号n: 其中,N为正负极涂层孔径分布区间数量,ri,j,k为随机数,di,j,k为单元i,j,k的孔径,dn为将孔径取值范围均分为N段后的第n个孔径值,pi,j,k为单元i,j,k的概率密度,pn为dn对应的概率密度函数值; 取di,j,k=dn,pi,j,k=pn; 初始化笛卡尔背景网格上各个单元的标记,在笛卡尔背景网格上各个单元上生成[0,1]内的随机数; 若满足:其中,ri,j,k为随机数,pi,j,k为单元i,j,k的概率密度,N为正负极涂层孔径分布区间数量; 对标记为1的单元按照生长概率向相应方向上的相邻单元生长,所述生长概率为单元孔径与各个方向的生长系数的比值; 根据标记为1的单元数量计算当前孔隙率,并以当前孔隙率作为迭代提交进行迭代; 采用基于笛卡尔背景网格的染色方法对正负极涂层多孔介质模型进行死区处理。
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