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龙图腾网获悉中南大学;云南贵金属实验室有限公司申请的专利Cu/Cu₃P@TiO₂纳米网光电极及其制备和在光电还原制氨及光电氧化中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120330793B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510831396.2，技术领域涉及：C25B11/091；该发明授权Cu/Cu₃P@TiO₂纳米网光电极及其制备和在光电还原制氨及光电氧化中的应用是由潘军;童家鑫;谭鹏飞;刘锋;谢建平设计研发完成，并于2025-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本Cu/Cu₃P@TiO₂纳米网光电极及其制备和在光电还原制氨及光电氧化中的应用在说明书摘要公布了：本发明属于光电催化领域，具体涉及一种CuCu3P@TiO2纳米网光电极及其制备和在光电还原制氨及光电氧化中的应用，其中，所述的CuCu3P@TiO2纳米网光电极包括钛基底、原位生长于钛基底表面的TiO2纳米网、均匀弥散分布在TiO2纳米网上的铜基双相纳米颗粒；所述的TiO2纳米网为通过TiO2纳米线交织成的三维网状材料；所述的铜基双相纳米颗粒包括纳米Cu颗粒和纳米Cu3P颗粒，且铜基双相纳米颗粒和TiO2纳米网之间存在异质界面。本发明所述的电极具有优异的光电催化氧化和光电催化还原多功能特点，且光电催化性能优异。

本发明授权Cu/Cu₃P@TiO₂纳米网光电极及其制备和在光电还原制氨及光电氧化中的应用在权利要求书中公布了：1.一种CuCu3P@TiO2纳米网光电极，其特征在于，包括钛基底、原位生长于钛基底表面的TiO2纳米网、均匀弥散分布在TiO2纳米网上的铜基双相纳米颗粒；所述的TiO2纳米网为通过TiO2纳米线交织成的三维网状材料； 所述的铜基双相纳米颗粒包括纳米Cu颗粒和纳米Cu3P颗粒，且铜基双相纳米颗粒和TiO2纳米网之间存在异质界面； 所述的CuCu3P@TiO2纳米网光电极的制备步骤包括： 步骤1： 将Ti基底和2~6M的碱液混合并进行溶剂热处理，其中，控制溶剂热的时间为0.5~3.5h；随后将溶剂热产物进行酸处理，再在300~600℃的温度下进行焙烧处理，在钛基底上生长TiO2纳米网，制得Ti@TiO2纳米网； 步骤2： 将Ti@TiO2纳米网预先在电解液A中进行第一段CV电沉积处理，制得一段电处理电极；其中，电解液A为溶解有电解质A的水溶液；所述的电解质A为碱金属和或碱土金属的水溶性盐； 步骤3： 将步骤2制得的一段电处理电极在电解液B中进行第二段CV电沉积处理，在一段电处理电极上原位形成铜基双相纳米颗粒，制得所述的CuCu3P@TiO2纳米网光电极；其中，电解液B为溶有水溶性铜盐、水溶性磷酸盐和电解质B的水溶液，其中，电解质B为弱酸强碱盐，电解液B的pH为5~7； 电解液B中，CuP摩尔比为2~10:1，Cu的浓度为0.5~5molL； 第二段CV电沉积处理过程中的扫描速度为5~25mVs，扫描圈数为3~20圈。

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