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龙图腾网获悉深圳市美思先端电子有限公司申请的专利一种MEMS湿法刻蚀加工方法及MEMS传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120364646B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510849072.1，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种MEMS湿法刻蚀加工方法及MEMS传感器是由宏宇;武斌设计研发完成，并于2025-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS湿法刻蚀加工方法及MEMS传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MEMS湿法刻蚀加工方法及MEMS传感器，该加工方法包括在晶圆表面的介电层上方沉积保护材料层；在起始刻蚀位置对保护材料层及介电层进行刻蚀，使介电层下方的硅衬底暴露；对暴露的硅衬底进行KOH或TMAH湿法刻蚀，以在介电层下方刻蚀形成预设深度的中空腔体后清洗晶圆；使用干法刻蚀工艺对晶圆表面进行整面刻蚀以去除保护材料层，整面刻蚀的深度与保护材料层的厚度相等。上述湿法刻蚀加工方法通过沉积保护材料层，在起始位置刻蚀以暴露硅衬底之后再刻蚀硅衬底形成内部腔体，避免形成中空腔体后加工工艺对中空腔体上方的薄膜结构造成损坏，通过减少对已形成薄膜的晶圆进行操作，提高产品良率并保证器件功能完备。

本发明授权一种MEMS湿法刻蚀加工方法及MEMS传感器在权利要求书中公布了：1.一种MEMS湿法刻蚀加工方法，其特征在于，所述刻蚀加工方法用于对晶圆进行刻蚀，所述晶圆包括依次层叠设置的介电层及硅衬底；所述介电层内嵌设置有至少一个电极，所述方法包括： 在所述晶圆表面的介电层上方沉积保护材料层； 在起始刻蚀位置对所述保护材料层及所述介电层进行刻蚀，使所述介电层下方的硅衬底暴露；所述起始刻蚀位置为需要使用刻蚀溶液进行刻蚀的起始位置； 在所述起始刻蚀位置对暴露的硅衬底进行KOH或TMAH湿法刻蚀，以在介电层下方刻蚀形成预设深度的中空腔体后清洗所述晶圆； 使用干法刻蚀工艺对所述晶圆表面进行整面刻蚀以去除保护材料层，所述整面刻蚀的深度与所述保护材料层的厚度相等； 所述在所述晶圆表面的介电层上方沉积保护材料层之后，还包括： 在所述电极上方进行刻蚀，刻蚀深度等于所述电极上方原始覆盖的介电层的深度；所述在所述电极上方进行刻蚀，所得到的刻蚀开口尺寸不大于所述电极的外轮廓尺寸；所述介电层下方刻蚀的中空腔体的截面呈倒梯形。

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